场效应晶体管检测周期:常规到样后7-15个工作日出具测试报告
样品量:根据客户的试验需要(是否需要制样),详情可咨询工程师
噪声系数、输出电容、泄漏电流、阀电压、截至电压、源极电阻等
GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
BS IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
CECC 50 012- 070 ISSUE 1-1993 BS CECC 50 012-070:单栅极场效应晶体管、N通道增强(英)
CECC 50 012- 074 ISSUE 1-1991 NL CECC 50 012-074:N通道双栅极B型场效应晶体管(英)
CECC 50 012- 078 ISSUE 1-1993 BS CECC 50 012-078:单栅极场效应晶体管、P通道增强(英)
GOST 20398.1-1974 场效应晶体管 直接传输导纳模测量方法
GOST 20398.2-1974 场效应晶体管 噪声系数测量方法
GOST 20398.3-1974 场效应晶体管 跨导测量方法
GOST 20398.4-1974 场效应晶体管 输出导纳有功分量测量方法
GOST 20398.5-1974 场效应晶体管 输入电容、旁路电容和输出电容的测量方法
GOST 20398.6-1974 场效应晶体管 栅极漏泄电流测量方法
GOST 20398.7-1974 场效应晶体管 阈电压和截止电压测量方法
GOST 20398.8-1974 场效应晶体管 漏极起始电流测量方法
1、业务受理 :确定检测需求
2、样品寄送 :客户可选择送样或邮寄样品,北检院亦提供上门取样服务
3、样品初检 :确认样品基本信息、检测用途、执行标准等
4、签订协议:注重保护客户隐私
5、开始试验:安排费用后进行样品检测
6、报告编制:根据实验室上报的数据编写报告草件,确认信息是否无误
7、出具报告:后期服务完善,可随时咨询
以上是与"场效应晶体管检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。