故障模式分析

检测项目

1.开路失效分析：焊点裂纹、金属化电迁移断裂、键合点疲劳、导线颈缩、通孔空洞、金属箔断裂、导电胶失粘、银胶空洞、铜箔分离、激光切割残留、异物隔断、过孔铜壁缺失、焊盘翘起、线路烧蚀、金线断裂。

2.短路失效分析：金属迁移桥连、锡须导通、导电粒子迁移、焊锡桥连、银迁移、碳迹、离子污染、湿气电离、封装裂纹渗水、钝化层针孔、光刻胶残留、静电击穿、铝腐蚀、铜腐蚀、金腐蚀、镍腐蚀。

3.参数漂移分析：阈值电压漂移、导通电阻增大、漏电流上升、电容值衰减、电感量下降、频率偏移、增益下降、接触电阻增大、介电常数变化、损耗角正切升高、热敏系数偏移、压敏电压漂移、绝缘电阻下降、噪声系数升高、温度系数漂移。

4.绝缘击穿分析：介质击穿电压、局部放电起始电压、爬电距离失效、电弧侵蚀、电痕指数、击穿路径形貌、树状放电通道、气泡击穿、分层击穿、银纹、电化学迁移、热击穿、电机械击穿、光击穿、辐射击穿、复合击穿。

5.热疲劳失效分析：焊点热循环裂纹、基板分层、芯片开裂、塑封料龟裂、引线框架变形、导热垫老化、热阻增大、焊球空洞、金线疲劳、铜柱疲劳、锡膏氧化、界面金属间化合物增厚、热膨胀系数失配、蠕变孔洞、再结晶脆化、 Kirkendall 空洞。

6.机械应力失效分析：引线拉力下降、焊点剪切强度衰减、基板弯曲开裂、陶瓷层裂、塑封体爆裂、芯片边缘崩缺、焊盘剥离、金线颈缩、铜箔起翘、导热胶开裂、封装分层、微裂纹扩展、应力集中点、冲击断裂、振动疲劳、微动磨损。

7.电化学腐蚀分析：氯离子腐蚀、硫化氢腐蚀、氨气腐蚀、二氧化硫腐蚀、盐雾腐蚀、电位差腐蚀、晶间腐蚀、缝隙腐蚀、应力腐蚀开裂、腐蚀产物迁移、绿锈、黑镍、紫斑、氧化膜击穿、钝化膜破裂、电解液渗漏。

8.静电与过电应力分析：静电放电等级、闩锁阈值、过压击穿、浪涌烧毁、电流熔丝熔断、金属熔球、硅熔洞、铝条熔化、多晶硅熔断、栅氧击穿、结击穿、热点定位、熔融通道、二次击穿、热奔、金属喷溅。

9.封装完整性分析：气密性泄漏、氦质谱漏率、水汽含量、封装分层超声扫描、染色渗透、红墨水试验、饱和水汽压、玻璃化转变温度、热分解温度、挥发物含量、离子含量、荧光渗漏、气泡率、粘接力、剪切强度、剥离强度。

10.材料老化分析：紫外老化、高温高湿老化、温度循环老化、功率循环老化、高温储存、低温储存、高温反偏、高压蒸煮、加速湿热、盐雾老化、混合气体腐蚀、放射线老化、振动老化、热冲击、寿命模型拟合。

11.微结构缺陷分析：晶格位错、氧化层针孔、金属化台阶覆盖、钝化层裂纹、硅蚀刻残留、光刻胶底切、金属剥离、合金化不充分、硅穿孔裂纹、铜电镀空洞、金层孔隙、镍层应力、铬层氧化、银层硫化、锡层晶须。

12.界面结合强度分析：芯片-基板粘附、焊球-焊盘结合、引线-焊盘拉脱、塑封-框架粘附、导热膏-散热器粘结、胶-陶瓷剪切、膜-膜剥离、金属-金属扩散、金属-非金属润湿、玻璃-金属封接、陶瓷-金属钎焊、薄膜-基底附着力、涂层致密性、过渡层脆性、 Kirkendall 层厚度。

检测范围

1.半导体分立器件：功率二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、齐纳二极管、晶体管、场效应管、绝缘栅双极晶体管、晶闸管、可控硅、功率模块、射频功率管、微波器件、光耦、固态继电器、激光二极管、发光二极管。

2.集成电路芯片：微处理器、存储器、逻辑芯片、模拟芯片、混合信号芯片、射频芯片、电源管理芯片、驱动芯片、传感器芯片、专用集成电路、系统级封装、三维封装、晶圆级封装、倒装芯片、铜柱凸块、硅通孔。

3.无源元件：片式电阻、薄膜电阻、厚膜电阻、线绕电阻、电位器、片式电容、钽电容、铝电解电容、陶瓷电容、薄膜电容、电感、磁珠、变压器、石英晶体、滤波器、天线、开关、连接器。

4.印刷电路板及载板：刚性板、柔性板、刚挠结合板、高密度互连板、金属基板、陶瓷基板、封装基板、母板、模块板、背板、高频高速板、厚铜板、埋容埋阻板、芯片封装载板、系统级封装基板、三维模塑互连器件。

5.电子装联组件：表面贴装组件、插件组件、混合安装组件、倒装焊接组件、金线键合组件、铜线键合组件、铝线键合组件、银胶粘接组件、导电胶粘接组件、焊锡膏焊接组件、激光焊接组件、超声焊接组件、回流焊接组件、波峰焊接组件、选择性焊接组件。

6.功率模块与电源：绝缘栅双极晶体管模块、智能功率模块、功率因数校正模块、直流-直流转换器、交流-直流电源、不间断电源、光伏逆变器、车载充电器、电机驱动器、射频电源、激光电源、焊接电源、电镀电源、电池管理系统、超级电容模块。

7.光电器件与显示：发光二极管封装、迷你发光二极管、微型发光二极管、有机发光二极管、量子点发光二极管、激光器封装、光电探测器、光纤收发器、光电耦合器、液晶模组、触控模组、电子纸、微显示芯片、光学传感器、红外器件、紫外器件。

8.传感器与微系统：压力传感器、温度传感器、湿度传感器、气体传感器、惯性传感器、磁传感器、图像传感器、生物传感器、微机电系统麦克风、微机电系统加速度计、微机电系统陀螺仪、微机电系统反射镜、微机电系统开关、微流体芯片、实验室芯片、纳米传感器。

9.高频高速互连：射频同轴线、高速差分线、高速连接器、高速背板、高速电缆、光纤连接器、板对板连接器、线对板连接器、柔性扁平电缆、高速覆铜板、低损耗基板、高速测试夹具、射频开关、射频继电器、射频滤波器、射频天线。

10.新能源与汽车电子：动力电池单体、电池模组、电池 pack、车载功率模块、车载充电器、直流变换器、逆变器、车载传感器、线控系统、车灯模块、车载显示、车载雷达、车载摄像头、车载网关、域控制器、域控制单元。

检测标准

国际标准：

IEC60749-1、IEC60749-2、IEC60749-5、IEC60749-12、IEC60749-14、IEC60749-15、IEC60749-20、IEC60749-23、IEC60749-34、JEDECJESD22-A104、JEDECJESD22-A105、JEDECJESD22-A110、JEDECJESD22-A118、JEDECJESD22-B102、JEDECJESD22-C101。

国家标准：

GB/T 4937.1、GB/T 4937.2、GB/T 4937.5、GB/T 4937.12、GB/T 4937.14、GB/T 4937.15、GB/T 4937.20、GB/T 2423.1、GB/T 2423.2、GB/T 2423.3、GB/T 2423.10、GB/T 2423.22、GB/T 2423.50、GB/T 2423.51、GB/T 5169.10。

检测设备

1.扫描电子显微镜：纳米级形貌观察、失效点定位、微裂纹测量、成分像采集、电子背散射衍射、低真空模式、离子束截面切割、能谱面扫描、三维重构、高分辨成像、电压对比、电子束诱导电流、阴极荧光、电子通道衬度、电子束曝光。

2.透射电子显微镜：原子级晶格像、高分辨界面像、选区电子衍射、能谱线扫描、电子能量损失谱、聚焦离子束制样、超薄切片、位错密度统计、界面原子排列、析出相识别、氧化层厚度、硅化物厚度、 Kirkendall 空洞、晶格畸变、纳米束衍射。

3.X射线三维成像系统：微米级三维透视、焊点空洞率、桥连检测、裂纹深度、金线弧度、芯片偏移、叠层错位、通孔填充、塑封分层、气泡分布、多芯片堆叠、倒装芯片凸块、铜柱缺陷、封装倾斜、引线交叉、三维尺寸测量。

4.红外热成像系统：热点定位、结温测试、热阻路径、瞬态热阻、稳态热阻、功率循环、热扩散率、发射率校准、锁相热成像、脉冲热成像、缺陷深度、分层识别、裂纹热阻、芯片级热分布、焊点级热分布、微区热梯度。

5.光发射显微镜：微漏电定位、结击穿发光、氧化层缺陷、静电损伤点、闩锁路径、热载流子发光、雪崩发光、漏电流通道、缺陷能级、光子计数、光谱分析、时间分辨、强度分布、失效重现、动态监测、定量发光强度。

6.微光显微镜：微弱发光捕捉、栅氧击穿、结漏电、缺陷发光、硅穿孔发光、金属熔融发光、铝条熔化、多晶硅熔断、热点迁移、发光演化、失效过程记录、低温发光、高温发光、气氛控制、时间序列、发光阈值。

7.能谱仪与电子能量损失谱仪：元素定性定量、轻元素检测、深度剖析、面分布图、线扫描、点分析、氧化态识别、化学位移、价态分析、纳米颗粒成分、界面扩散、金属间化合物、腐蚀产物、异物鉴定、掺杂分布、杂质追踪。

8.聚焦离子束系统：精密截面切割、定点取样、线路修补、电路编辑、标记沉积、薄膜沉积、三维重构、透射样品制备、微柱提取、纳米图形加工、缺陷截面、焊点截面、金线截面、芯片截面、封装截面、层间截面。

9.高低温循环箱：温度范围负五十五至正一百五十摄氏度、温变速率每分钟十五摄氏度、温度保持、温度冲击、循环计数、湿度集成、气密循环、液氮制冷、热风加热、程序控制、数据记录、失效触发、中间测试、原位监测、自动取样、远程监控。

10.高温高湿试验箱：温度范围负四十至正一百八十摄氏度、相对湿度百分之五至百分之九十八、压力饱和、凝露循环、偏压老化、离子迁移、腐蚀加速、密封评估、涂层评价、绝缘退化、寿命外推、恒定湿热、交变湿热、压力蒸煮、无偏置老化、高加速应力。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"故障模式分析"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。