碳化硅工艺检测

检测项目

1.材料基本特性检测：晶体结构分析、晶向判定、多型鉴别、结晶质量评估。

2.表面与形貌检测：表面粗糙度、划痕与凹坑密度、颗粒污染、微观形貌观察。

3.晶体缺陷检测：位错密度、层错、微管缺陷、空洞与包裹体。

4.外延层质量检测：外延层厚度、掺杂浓度分布、载流子迁移率、界面态密度。

5.化学成分与纯度检测：体材料纯度、杂质元素含量、表面污染物分析、化学计量比。

6.电学性能检测：电阻率、载流子浓度、击穿电压、泄漏电流。

7.光学性能检测：光致发光谱、拉曼光谱分析、缺陷发光中心识别。

8.薄膜与界面检测：栅氧层厚度与质量、金属-半导体接触特性、界面陷阱密度。

9.工艺监控检测：离子注入深度与浓度、退火活化率、刻蚀速率与均匀性。

10.可靠性评估检测：高温反向偏压测试、高温栅偏压测试、热阻测试、功率循环寿命。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅氮化镓异质外延片、碳化硅抛光片、碳化硅晶锭、碳化硅功率二极管芯片、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管芯片、栅极氧化层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层、离子注入区、钝化保护层、器件封装结构、晶圆清洗后表面、光刻胶残留物、刻蚀后侧壁形貌

检测设备

1.高分辨率X射线衍射仪：用于精确分析碳化硅单晶的晶体结构、晶格常数、晶向以及外延层的结晶质量和厚度；可鉴别不同的碳化硅多型体。

2.原子力显微镜：用于纳米级分辨率下观测样品表面三维形貌，定量测量表面粗糙度，并识别表面存在的台阶、划痕等微观缺陷。

3.扫描电子显微镜：用于高倍率下观察样品表面的微观形貌与结构，结合能谱仪可进行微区化学成分的定性与半定量分析。

4.光致发光光谱仪：通过激发材料发光并分析其光谱，用于非接触式评估碳化硅的晶体质量、能带结构以及识别特定的缺陷类型。

5.二次离子质谱仪：用于对材料表面及深度方向进行微量元素和掺杂元素的成分分析，可获得掺杂浓度随深度的精确分布曲线。

6.霍尔效应测试系统：用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率等关键电学参数，是评估外延层质量的重要手段。

7.深能级瞬态谱仪：专门用于检测半导体中深能级缺陷的浓度、能级位置和俘获截面，对评估材料纯度与工艺引入的缺陷至关重要。

8.傅里叶变换红外光谱仪：主要用于测量碳化硅外延层的厚度，也可用于分析材料中的某些化学键和杂质含量。

9.探针台与参数分析仪：组合用于对半导体器件或测试结构进行直接的电流-电压、电容-电压等电学特性测量，评估器件性能与工艺参数。

10.高分辨率透射电子显微镜：用于在原子尺度观察材料的微观结构，分析晶体缺陷、界面状态、薄膜层厚及结晶情况，提供最直接的微结构信息。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"碳化硅工艺检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。