集成电路质量含量测试

检测项目

1. 材料成分分析：硅衬底纯度，掺杂元素浓度，金属层元素组成，介质层化学计量比。

2. 表面污染物检测：有机污染物残留，无机颗粒污染，金属离子污染，氧化物层厚度与均匀性。

3. 薄膜特性分析：栅氧化层厚度与质量，金属间介质层厚度，钝化层成分与致密度，阻挡层完整性。

4. 金属化层评估：互连线铜纯度，电镀添加剂含量，阻挡层/种子层厚度与成分，铝硅铜合金比例。

5. 封装材料分析：塑封料成分，芯片粘接材料成分，导热界面材料填充物含量，焊料合金比例。

6. 掺杂浓度分布：阱区掺杂浓度，源漏扩展区掺杂轮廓，沟道掺杂均匀性，多晶硅掺杂水平。

7. 缺陷与异物分析：晶格缺陷密度，结晶相分析，微区异物成分鉴定，空洞与夹杂物检测。

8. 界面特性表征：硅/二氧化硅界面态密度，金属/半导体接触特性，层间界面扩散深度，粘附层质量。

9. 热性能相关材料分析：热界面材料导热填料含量，封装材料热膨胀系数匹配性，金属层抗电迁移能力评估。

10. 电性能关联材料测试：高介电常数材料组分，铁电材料极化特性，电阻式存储材料成分，互连线电阻率关联杂质分析。

11. 工艺残留物检测：化学机械抛光后清洗剂残留，蚀刻后副产物，灰化后聚合物残留，离子注入光阻残留。

12. 材料均匀性与一致性测试：晶圆面内成分均匀性，批间材料一致性，薄膜厚度分布，掺杂浓度片间差异。

13. 长期可靠性预测分析：金属间化合物生长趋势，介电层陷阱电荷密度，材料界面退化评估，离子迁移倾向分析。

检测范围

硅晶圆、体硅芯片、绝缘体上硅芯片、锗硅外延片、氮化镓功率器件芯片、碳化硅衬底、金属氧化物半导体晶体管、互补金属氧化物半导体晶圆、动态随机存取存储器芯片、闪存存储单元、微处理器裸片、图形处理器核心、射频芯片、模拟数字转换器芯片、电源管理芯片、发光二极管外延片、微机电系统结构、晶圆级封装结构、系统级封装模块、芯片倒装焊凸点

检测设备

1. 二次离子质谱仪：用于深度剖析材料中的微量元素与掺杂浓度分布；具备极高的检测灵敏度与深度分辨率。

2. X射线光电子能谱仪：用于分析材料表面元素组成、化学态及电子结构；可进行微区化学成分成像。

3. 俄歇电子能谱仪：用于表面及界面极薄层的元素定性、定量与深度分析；特别适用于轻元素分析。

4. 辉光放电质谱仪：用于测定块体材料中从主量到痕量级别的元素含量；能够进行快速体材料分析。

5. 傅里叶变换红外光谱仪：用于鉴定有机污染物、薄膜化学键结构及特定官能团；支持透射与反射测量模式。

6. X射线衍射仪：用于分析材料的晶体结构、物相组成、晶格常数及应力状态；可进行薄膜掠入射分析。

7. 扫描电子显微镜：用于高分辨率形貌观察，并配合能谱仪进行微区元素成分的定性与半定量分析。

8. 原子力显微镜：用于纳米尺度表面形貌、粗糙度及力学性能表征；可进行导电性等电学模式扫描。

9. 热重-差热分析仪：用于测量材料在程序控温下的质量变化与热效应，分析其热稳定性与组分含量。

10. 电感耦合等离子体发射光谱仪：用于溶液样品中多种金属与非金属元素的快速定量分析；检测限低，线性范围宽。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"集成电路质量含量测试"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。