检测项目

薄膜厚度：检测范围0.1nm-10μm，精度±0.05nm（台阶仪法）

晶体取向：XRD检测半高宽（FWHM）≤0.05°，晶格失配度<0.1%

表面粗糙度：AFM测试Ra≤0.2nm（扫描范围5×5μm²）

成分分析：SIMS深度分辨率1nm，元素检测限1×10¹⁵ atoms/cm³

缺陷密度：PL映射检测位错密度<10⁶ cm⁻²，CL成像分辨率50nm

检测范围

III-V族半导体材料：GaAs、InP基外延片

宽禁带半导体：GaN、SiC功率器件外延层

光学薄膜：TiO₂/SiO₂多层高反膜（λ=400-1600nm）

超导材料：YBCO薄膜临界电流密度≥3MA/cm²（77K）

磁性薄膜：FePt有序化程度L1₀相占比>90%

检测方法

X射线衍射（XRD）：ASTM E1160（2θ角精度±0.0001°）

扫描探针显微镜（SPM）：ISO 11039（探针曲率半径<10nm）

二次离子质谱（SIMS）：GB/T 23414-2009（溅射速率0.1-5nm/s）

阴极荧光（CL）：ISO 16700（束流稳定性±0.1nA）

椭偏光谱：ASTM E1792（入射角调节精度±0.01°）

检测设备

X射线衍射仪：Rigaku SmartLab，配备HybridPixel阵列探测器，可执行ω-2θ联动扫描

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，PeakForce Tapping模式，Z轴噪声<0.05nm

飞行时间二次离子质谱：ION-TOF TOF.SIMS 5，双束溅射系统，质量分辨率m/Δm>15,000

扫描电镜：Thermo Fisher Scios 2，配备EDAX Octane Elite EDS，能谱分辨率129eV

低温探针台：Lake Shore CRX-6.5K，温度稳定性±0.1K（4.2-350K），磁场强度±1T

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与离子束外延检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。