检测项目

晶体结构分析：

检测范围

1.单晶碳化硅衬底：4H/6H-SiC晶圆（直径150-200mm），重点检测晶向偏差（＜0.2）与电阻率均匀性（5%）

2.多晶烧结碳化硅：反应烧结体（Si含量≤8%），侧重孔隙率（≤0.5%）与抗弯强度（≥450MPa）

3.碳化硅外延片：外延层厚度（5-200μm），需测定掺杂梯度与界面缺陷密度（≤110cm⁻）

4.碳化硅陶瓷复合材料：SiC纤维增强型（纤维体积分数30-50%），评估层间剪切强度（≥80MPa）

5.半导体封装用SiC基板：金属化镀层结合力（≥15MPa），热循环寿命（-55~250℃,1000次）

6.高纯碳化硅粉体：D50粒径（0.5-10μm），氧含量（≤0.5wt%）与游离碳控制（≤0.1%）

7.碳化硅涂层制品：CVD沉积层厚度均匀性（5%），结合强度≥50MPa（划痕法测试）

8.功率模块用SiC芯片：动态特性测试（trr＜20ns），阈值电压稳定性（ΔVth＜0.5V@150℃）

9.核用碳化硅包覆颗粒：TRIISO燃料颗粒镀层完整性（He泄漏率＜110⁻⁸Pam/s）

10.SiC光学元件：CVD窗口片透过率≥70%（3-5μm波段），消光比＜510⁻⁶cm⁻

检测方法

国际标准：

检测设备

1.X射线衍射仪：RigakuSmartLab9kW(2θ精度0.0001，配备高分辨光学系统)

2.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon(扫描范围9090μm,Z轴分辨率0.05nm)

3.深能级瞬态谱仪：SULATechDLS-83D(温度范围20-700K,分辨率＜1meV)

4.激光闪光导热仪：NetzschLFA467HyperFlash(测试范围-125~2800℃,精度3%)

5.二次离子质谱仪：CamecaIMS7f-Auto(质量分辨率M/ΔM＞20,000,检出限ppb级)

6.霍尔效应测试系统：

7.扫描电子显微镜：>

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与结晶碳化硅检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。