负性光刻胶检测_北检院_第三方科研检测机构_北检（北京）检测技术研究院

检测项目

1.膜厚均匀性：

中心点厚度测量：允许偏差1.5%（300nm基准膜厚）

5点分布测试：边缘区域厚度波动≤3%

台阶覆盖率：沟槽深宽比≥5:1时的膜厚保持率≥85%

2.显影动力学特性：

临界显影时间（CDT）：2.38%TMAH溶液中的溶解速率（单位：nm/s）

溶解对比度（γ值）：≥5.0（ISO14645-1标准）

残留胶量测试：显影后表面残留≤0.8μg/cm

3.分辨率性能：

极限线宽（L/S）：≤0.15μm（i线曝光条件）

接触孔圆度偏差：直径50nm孔洞的椭圆度≤8%

线边缘粗糙度（LER）：3σ值≤2.1nm

4.感光灵敏度：

曝光能量阈值（E0）：365nm波长下典型值18-22mJ/cm

感度曲线斜率：Dill参数A/B值偏差≤5%

5.热稳定性测试：

后烘温度耐受性：180℃/60min烘烤后膜厚变化率≤1.2%

TGA分析：热分解起始温度≥220℃（氮气氛围）

6.化学兼容性：

抗刻蚀选择比：Cl₂等离子体环境下≥1:35（相对SiO₂）

去胶液耐受时间：≥300s无溶胀现象（NMP基溶液）

7.机械性能：

附着力测试：划格法达到ASTMD3359Class4B级

杨氏模量测量：纳米压痕法测得值≥4.5GPa

检测范围

1.半导体前道制程光刻胶：
i线/KrF/ArF/极紫外（EUV）负胶体系
适用节点涵盖28nm至3nmFinFET工艺验证

2.MEMS器件用厚膜负胶：
SU-8系列产品（厚度10-300μm）
重点控制侧壁垂直度与深宽比≥10:1结构成型能力

HT-10.32等高温型负胶
检测激光解键合后的残留量≤50ppm

RGB像素隔离用负胶
要求表面能≤35mN/m以确保墨水铺展均匀性

PDMS模铸用负性模具胶
通道尺寸精度控制0.8μm@100μm特征尺寸

UV固化型负胶
需满足50次压印循环后图形保真度≥98%

耐高压型苯并环丁烯（BCB）负胶
击穿场强测试≥6MV/cm

表面接触角调控范围30-80
蛋白质非特异性吸附率≤5ng/cm

PMMA基高原子序数掺杂材料
灵敏度达100mJ/cm@0.2nm波长

ZEP520A等高分辨率体系
束流剂量宽容度15%内线宽变化≤5%

检测方法

ASTMF1311-20:椭圆偏振法测定光刻胶膜厚及光学常数n/k值

ISO14645-1:2020:旋转涂布工艺中膜厚均匀性统计分析方法

SEMIP35-0218:光刻胶显影速率标准化测试规程（包含温度补偿算法）

GB/T16525-2017:集成电路用光致抗蚀剂分辨力测试方法（含线宽测量电镜校准规范）

SJ/T11485-2015:负性光刻胶热流变性能测试（动态机械分析仪法）

SJ/T11706-2018:深紫外光刻胶感度特性椭圆偏振仪测试规程（含Brewster角修正）

检测设备

KLATencorP-17型（波长范围190-1700nm,膜厚分辨率0.01nm）
配备微区Mapping模块实现300mm晶圆全片扫描

BrukerDektakXTProfiler（垂直分辨率0.1,最大扫描长度200mm）
支持12英寸晶圆自动装载

HitachiCG6300临界尺寸扫描电镜（加速电压800V,重复测量精度0.15nm）
集成AI辅助图像分析算法

ThermoNicoletiS50（光谱范围7800-350cm⁻,分辨率0.09cm⁻）
配备ATR附件进行固化度分析

<强5.动态力学分析仪：>
TAInstrumentsQ800（温度范围-150~600℃,频率范围0.01~200Hz）
测定玻璃化转变温度Tg及储能模量

<强6.XPS表面分析仪：>
PHIVersaProbeIV（空间分辨率7μm,探测深度10nm）
用于显影后表面元素组成分析

<强7.AFM原子力显微镜：>
BrukerDimensionIcon-PT（扫描范围90μm,Z轴噪声＜0.05nmRMS）
三维形貌重建与粗糙度量化

<强8.UV曝光系统：>
SUSSMicroTecMA8Gen4（波长365/405nm,强度均匀性1%）
集成真空接触式掩模对准模块

检测项目

1.膜厚均匀性：

中心点厚度测量：允许偏差1.5%（300nm基准膜厚）

5点分布测试：边缘区域厚度波动≤3%

台阶覆盖率：沟槽深宽比≥5:1时的膜厚保持率≥85%

2.显影动力学特性：

临界显影时间（CDT）：2.38%TMAH溶液中的溶解速率（单位：nm/s）

溶解对比度（γ值）：≥5.0（ISO14645-1标准）

残留胶量测试：显影后表面残留≤0.8μg/cm

3.分辨率性能：

极限线宽（L/S）：≤0.15μm（i线曝光条件）

接触孔圆度偏差：直径50nm孔洞的椭圆度≤8%

线边缘粗糙度（LER）：3σ值≤2.1nm

4.感光灵敏度：

曝光能量阈值（E0）：365nm波长下典型值18-22mJ/cm

感度曲线斜率：Dill参数A/B值偏差≤5%

5.热稳定性测试：

后烘温度耐受性：180℃/60min烘烤后膜厚变化率≤1.2%

TGA分析：热分解起始温度≥220℃（氮气氛围）

6.化学兼容性：

抗刻蚀选择比：Cl₂等离子体环境下≥1:35（相对SiO₂）

去胶液耐受时间：≥300s无溶胀现象（NMP基溶液）

7.机械性能：

附着力测试：划格法达到ASTMD3359Class4B级

杨氏模量测量：纳米压痕法测得值≥4.5GPa

检测范围

1.半导体前道制程光刻胶：
i线/KrF/ArF/极紫外（EUV）负胶体系
适用节点涵盖28nm至3nmFinFET工艺验证

2.MEMS器件用厚膜负胶：
SU-8系列产品（厚度10-300μm）
重点控制侧壁垂直度与深宽比≥10:1结构成型能力

HT-10.32等高温型负胶
检测激光解键合后的残留量≤50ppm

RGB像素隔离用负胶
要求表面能≤35mN/m以确保墨水铺展均匀性

PDMS模铸用负性模具胶
通道尺寸精度控制0.8μm@100μm特征尺寸

UV固化型负胶
需满足50次压印循环后图形保真度≥98%

耐高压型苯并环丁烯（BCB）负胶
击穿场强测试≥6MV/cm

表面接触角调控范围30-80
蛋白质非特异性吸附率≤5ng/cm

PMMA基高原子序数掺杂材料
灵敏度达100mJ/cm@0.2nm波长

ZEP520A等高分辨率体系
束流剂量宽容度15%内线宽变化≤5%

检测方法

ASTMF1311-20:椭圆偏振法测定光刻胶膜厚及光学常数n/k值

ISO14645-1:2020:旋转涂布工艺中膜厚均匀性统计分析方法

SEMIP35-0218:光刻胶显影速率标准化测试规程（包含温度补偿算法）

GB/T16525-2017:集成电路用光致抗蚀剂分辨力测试方法（含线宽测量电镜校准规范）

SJ/T11485-2015:负性光刻胶热流变性能测试（动态机械分析仪法）

SJ/T11706-2018:深紫外光刻胶感度特性椭圆偏振仪测试规程（含Brewster角修正）

检测设备

KLATencorP-17型（波长范围190-1700nm,膜厚分辨率0.01nm）
配备微区Mapping模块实现300mm晶圆全片扫描

BrukerDektakXTProfiler（垂直分辨率0.1,最大扫描长度200mm）
支持12英寸晶圆自动装载

HitachiCG6300临界尺寸扫描电镜（加速电压800V,重复测量精度0.15nm）
集成AI辅助图像分析算法

ThermoNicoletiS50（光谱范围7800-350cm⁻,分辨率0.09cm⁻）
配备ATR附件进行固化度分析

<强5.动态力学分析仪：>
TAInstrumentsQ800（温度范围-150~600℃,频率范围0.01~200Hz）
测定玻璃化转变温度Tg及储能模量

<强6.XPS表面分析仪：>
PHIVersaProbeIV（空间分辨率7μm,探测深度10nm）
用于显影后表面元素组成分析

<强7.AFM原子力显微镜：>
BrukerDimensionIcon-PT（扫描范围90μm,Z轴噪声＜0.05nmRMS）
三维形貌重建与粗糙度量化

<强8.UV曝光系统：>
SUSSMicroTecMA8Gen4（波长365/405nm,强度均匀性1%）
集成真空接触式掩模对准模块

检测项目

1.膜厚均匀性：

中心点厚度测量：允许偏差1.5%（300nm基准膜厚）

5点分布测试：边缘区域厚度波动≤3%

台阶覆盖率：沟槽深宽比≥5:1时的膜厚保持率≥85%

2.显影动力学特性：

临界显影时间（CDT）：2.38%TMAH溶液中的溶解速率（单位：nm/s）

溶解对比度（γ值）：≥5.0（ISO14645-1标准）

残留胶量测试：显影后表面残留≤0.8μg/cm

3.分辨率性能：

极限线宽（L/S）：≤0.15μm（i线曝光条件）

接触孔圆度偏差：直径50nm孔洞的椭圆度≤8%

线边缘粗糙度（LER）：3σ值≤2.1nm

4.感光灵敏度：

曝光能量阈值（E0）：365nm波长下典型值18-22mJ/cm

感度曲线斜率：Dill参数A/B值偏差≤5%

5.热稳定性测试：

后烘温度耐受性：180℃/60min烘烤后膜厚变化率≤1.2%

TGA分析：热分解起始温度≥220℃（氮气氛围）

6.化学兼容性：

抗刻蚀选择比：Cl₂等离子体环境下≥1:35（相对SiO₂）

去胶液耐受时间：≥300s无溶胀现象（NMP基溶液）

7.机械性能：

附着力测试：划格法达到ASTMD3359Class4B级

杨氏模量测量：纳米压痕法测得值≥4.5GPa

检测范围

1.半导体前道制程光刻胶：
i线/KrF/ArF/极紫外（EUV）负胶体系
适用节点涵盖28nm至3nmFinFET工艺验证

2.MEMS器件用厚膜负胶：
SU-8系列产品（厚度10-300μm）
重点控制侧壁垂直度与深宽比≥10:1结构成型能力

HT-10.32等高温型负胶
检测激光解键合后的残留量≤50ppm

RGB像素隔离用负胶
要求表面能≤35mN/m以确保墨水铺展均匀性

PDMS模铸用负性模具胶
通道尺寸精度控制0.8μm@100μm特征尺寸

UV固化型负胶
需满足50次压印循环后图形保真度≥98%

耐高压型苯并环丁烯（BCB）负胶
击穿场强测试≥6MV/cm

表面接触角调控范围30-80
蛋白质非特异性吸附率≤5ng/cm

PMMA基高原子序数掺杂材料
灵敏度达100mJ/cm@0.2nm波长

ZEP520A等高分辨率体系
束流剂量宽容度15%内线宽变化≤5%

检测方法

ASTMF1311-20:椭圆偏振法测定光刻胶膜厚及光学常数n/k值

ISO14645-1:2020:旋转涂布工艺中膜厚均匀性统计分析方法

SEMIP35-0218:光刻胶显影速率标准化测试规程（包含温度补偿算法）

GB/T16525-2017:集成电路用光致抗蚀剂分辨力测试方法（含线宽测量电镜校准规范）

SJ/T11485-2015:负性光刻胶热流变性能测试（动态机械分析仪法）

SJ/T11706-2018:深紫外光刻胶感度特性椭圆偏振仪测试规程（含Brewster角修正）

检测设备

KLATencorP-17型（波长范围190-1700nm,膜厚分辨率0.01nm）
配备微区Mapping模块实现300mm晶圆全片扫描

BrukerDektakXTProfiler（垂直分辨率0.1,最大扫描长度200mm）
支持12英寸晶圆自动装载

HitachiCG6300临界尺寸扫描电镜（加速电压800V,重复测量精度0.15nm）
集成AI辅助图像分析算法

ThermoNicoletiS50（光谱范围7800-350cm⁻,分辨率0.09cm⁻）
配备ATR附件进行固化度分析

<强5.动态力学分析仪：>
TAInstrumentsQ800（温度范围-150~600℃,频率范围0.01~200Hz）
测定玻璃化转变温度Tg及储能模量

<强6.XPS表面分析仪：>
PHIVersaProbeIV（空间分辨率7μm,探测深度10nm）
用于显影后表面元素组成分析

<强7.AFM原子力显微镜：>
BrukerDimensionIcon-PT（扫描范围90μm,Z轴噪声＜0.05nmRMS）
三维形貌重建与粗糙度量化

<强8.UV曝光系统：>
SUSSMicroTecMA8Gen4（波长365/405nm,强度均匀性1%）
集成真空接触式掩模对准模块

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检测设备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

旗下实验室 · 资质荣誉

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