检测项目

1.能量损失率测定：测量α粒子（4-8MeV）与质子束（1-20MeV）在靶材中的dE/dx值

2.电离密度分布分析：记录每微米路径长度产生的离子对数（10-10⁶pairs/μm）

3.阻止本领计算：获取质量阻止本领S/ρ值（单位MeVcm/g）

4.射程分布测量：测定不同能量粒子（1keV-10GeV）在材料中的穿透深度（精度0.1μm）

5.电荷态分布监测：跟踪粒子穿透过程中的电荷交换频率（采样率≥1MHz）

检测范围

1.半导体材料：硅晶圆（厚度100-500μm）、锗探测器元件

2.金属薄膜：铝箔（5-200μm）、铜镀层（0.1-5μm）

3.聚合物材料：聚乙烯辐射屏蔽膜（密度0.92-0.96g/cm）

4.生物等效材料：水凝胶组织模拟物（含水率70-90%）

5.核探测器材料：硫化锌闪烁体（粒径5-50μm）

检测方法

ASTME722-21：带电粒子在物质中电离能量损失的测定规范

ISO8529-3:2022：中子参考辐射场中带电粒子能谱测量方法

GB/T16137-2020：X、γ射线和电子束物质吸收剂量测量规程

GB12714-2018：半导体探测器测试方法通则

IEC60747-14-3:2020：半导体器件-辐射探测器测试程序

检测设备

1.VandeGraaff静电加速器：产生单能质子束（0.5-5MeV），束流稳定性0.1%

2.ORTECGEM系列高纯锗探测器：能量分辨率≤1.3keV@1.33MeV

3.ThermoScientificQExactiveHF质谱仪：质量精度＜3ppm

4.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：配备LYNXEYEXE-T探测器

5.PTWUnidosWebline电离室：测量范围0.1μGy/h-10Gy/h

6.CanberraGenie2000能谱分析系统：支持4096道脉冲高度分析

7.EdwardsAuto500真空镀膜机：极限真空度510⁻⁷mbar

8.JEOLJEM-2100透射电镜：点分辨率0.19nm

9.NationalInstrumentsPXIe-8840数据采集系统：采样率1GS/s