表面元素成分分析:检测范围0.1-10 at%,能量分辨率≤0.6 eV
化学态表征:结合能精度±0.2 eV,峰形拟合误差<5%
深度剖析:溅射速率0.1-50 nm/min,深度分辨率<5 nm
横向分布成像:空间分辨率≤10 nm,扫描范围1 μm×1 μm至500 μm×500 μm
界面污染分析:检测限≤0.5 at%,信噪比≥20:1
半导体材料:硅片、GaAs、氮化镓等外延层表面分析
金属合金:不锈钢表面钝化膜、钛合金氧化层表征
纳米材料:量子点、二维材料(如石墨烯)成分分布
高分子材料:聚合物表面添加剂迁移检测
电子器件:芯片焊点界面污染、OLED电极层分析
ASTM E827-19:俄歇电子能谱仪校准标准
ISO 18118:2017:表面化学分析-俄歇能谱定量方法
GB/T 26533-2011:俄歇电子能谱分析方法通则
ISO 20903:2019:俄歇能谱溅射深度剖析技术规范
GB/T 35033-2018:微束分析-俄歇电子能谱元素面分布方法
PHI 700Xi:配备场发射电子枪,空间分辨率达6 nm,支持锁相放大检测
Thermo Scientific Nexsa G2:集成单色化电子源,能量分辨率0.4 eV,兼容反射电子衍射
ULVAC-PHI SAM-680:配备四通道电子能量分析器,深度剖析速率0.01-100 nm/s
JEOL JAMP-9510F:集成FIB-SEM联用系统,支持三维成分重构
Specs FlexMod:模块化设计,可扩展至低能电子衍射(LEED)联用分析
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与俄歇检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。