检测项目
成分分析：元素种类及含量（检测参数：0.1 ppm~50%精度）
晶体结构表征：晶格常数、相纯度（检测参数：±0.001 Å误差）
电学性能测试：载流子浓度、迁移率（检测参数：1e14~1e19 cm⁻³，10~10⁵ cm²/(V·s)）
热稳定性分析：热导率、热膨胀系数（检测参数：1~500 W/(m·K)，0.1~50 ppm/K）
表面缺陷检测：位错密度、裂纹深度（检测参数：10³~10⁹ cm⁻²，0.1~100 μm）
检测范围
III-V族半导体：锑化铟（InSb）、砷化镓（GaAs）
II-VI族半导体：碲化汞镉（HgCdTe）、硒化锌（ZnSe）
稀土基化合物：钇铝石榴石（YAG）、镧系硫化物
高温超导材料：钇钡铜氧（YBCO）、铋锶钙铜氧（BSCCO）
热电材料：碲化铋（Bi₂Te₃）、硅锗合金（SiGe）
检测方法
成分分析：ASTM E3061（X射线荧光光谱法），GB/T 20975（化学滴定法）
晶体结构：ISO 20283（X射线衍射法），GB/T 13314（电子背散射衍射）
电学性能：ASTM F76（霍尔效应测试），GB/T 13301（四探针法）
热学性能：ISO 22007（激光闪射法），GB/T 4339（热膨胀仪法）
缺陷表征：ISO 16700（扫描电镜法），GB/T 17722（原子力显微镜法）
检测设备
X射线衍射仪：Rigaku SmartLab，功能：物相分析、晶体结构测定
扫描电子显微镜：ZEISS Sigma 500，功能：微区形貌观察、能谱分析
霍尔效应测试系统：Lake Shore 8400，功能：载流子浓度、迁移率测量
激光导热仪：Netzsch LFA 467，功能：热扩散系数及热导率测试
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，功能：表面粗糙度及缺陷三维成像