多晶硅粉末检测概述:检测项目 化学成分分析: 金属杂质总量:Fe、Cr、Ni、Cu、Zn含量(≤0.5ppm,参照SEMI PV17) 非金属杂质:氧含量(≤30ppm)、碳含量(≤3ppm) 施主/受主杂质:磷(≤0.15ppb)、硼(≤0.05ppb) 物理特性检测: 粒径分布:D10≥1μm、D50=2-8μm、D90≤20μm(ISO 13320) 振实密度:≥0.8g/cm³(GB/T 5162) 比表面积:1.0-3.
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
化学成分分析:
1. 太阳能级多晶硅粉: 满足GB/T 25076标准,重点监控Fe/Al/Ca等金属杂质及粒径分布均匀性
2. 电子级多晶硅粉: 执行SEMI C28标准,核心检测硼磷含量及铀/钍放射性核素
3. 流化床法硅烷裂解粉: 侧重球形度(≥0.92)及表面氯化物残留(≤3ppm)
4. 冶金法提纯硅粉: 重点控制B/P含量梯度及碳化硅夹杂物(≤0.1wt%)
5. 3D打印用硅粉: 要求D90≤15μm且粒径分布跨度<1.2(ISO 13320)
6. 纳米硅复合负极材料: 检测比容量(≥2000mAh/g)及首次库伦效率(≥85%)
7. 硅碳负极前驱体: 监控碳包覆层厚度(5-20nm)及界面结合状态
8. 高纯硅溶胶原料: 检测胶体稳定性(Zeta电位≥|30|mV)及钠钾含量(≤50ppb)
9. 有机硅单体合成粉: 重点分析氯硅烷残留(≤100ppm)及催化金属含量
10. 半导体封装填料: 要求α射线发射率≤0.02cph/cm²及热导率≥120W/mK
国际标准:
1. 高分辨电感耦合等离子体质谱仪: Agilent 8900型(检测限0.1ppt,质量范围2-260amu)
2. 傅里叶变换红外光谱仪: Bruker VERTEX 80v(分辨率0.1cm⁻¹,液氮冷却MCT检测器)
3. 激光粒度分析仪: Malvern Mastersizer 3000(测量范围0.01-3500μm,干湿法双模)
4. 低温光电导衰减测试仪: Semilab WT-2000(温度范围77-400K,微波频率10GHz)
5. 场发射扫描电镜: Zeiss GeminiSEM 500(分辨率0.8nm@15kV,EDS能谱分辨率124eV)
6. X射线衍射仪: Rigaku SmartLab SE(2θ精度±0.0001°,高温附件1600℃)
7. 全自动比表面及孔隙度分析仪: Micromeritics ASAP 2460(比表测量范围0.0005m²/g以上)
8. 四探针电阻率测试仪: Lucas Labs PRO4-440N(量程0.001-10000Ω·cm,恒流源±1%)
9. 同步热分析仪: Netzsch STA 449 F5(TG分辨率0.1μg,DSC噪声水平0.1μW)
10. 气相色谱-质谱联用仪: Thermo Scientific ISQ 7000(质量精度0.1ppm,扫描速度20,000amu/sec)
11. 高纯锗γ谱仪: Canberra GX6020(相对效率60%,能量分辨率1.7keV)
12. 动态图像分析仪: Retsch CAMSIZER X2(测量速度270帧/秒,形态参数库>30项)
13. 卡尔费休水分测定仪: Metrohm 917 Coulometric(检测限0.1μg H₂O,电解电流400mA)
14. 粉末流动性测试仪: Freeman FT4 Powder Rheometer(螺旋桨扭矩精度0.1mNm)
15. 全自动密度分析仪: Micromeritics AccuPyc II 1340(体积分辨率0.03%,气体纯度99.999%)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与多晶硅粉末检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。