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多晶硅粉末检测

  • 原创官网
  • 2025-05-31 10:13:57
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多晶硅粉末检测概述:检测项目 化学成分分析: 金属杂质总量:Fe、Cr、Ni、Cu、Zn含量(≤0.5ppm,参照SEMI PV17) 非金属杂质:氧含量(≤30ppm)、碳含量(≤3ppm) 施主/受主杂质:磷(≤0.15ppb)、硼(≤0.05ppb) 物理特性检测: 粒径分布:D10≥1μm、D50=2-8μm、D90≤20μm(ISO 13320) 振实密度:≥0.8g/cm³(GB/T 5162) 比表面积:1.0-3.


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☌ 询价

检测项目

化学成分分析:

  • 金属杂质总量:Fe、Cr、Ni、Cu、Zn含量(≤0.5ppm,参照SEMI PV17)
  • 非金属杂质:氧含量(≤30ppm)、碳含量(≤3ppm)
  • 施主/受主杂质:磷(≤0.15ppb)、硼(≤0.05ppb)
物理特性检测:
  • 粒径分布:D10≥1μm、D50=2-8μm、D90≤20μm(ISO 13320)
  • 振实密度:≥0.8g/cm³(GB/T 5162)
  • 比表面积:1.0-3.5m²/g(BET法,ASTM D3663)
电学性能测试:
  • 体电阻率:≥1000Ω·cm(四探针法,SEMI MF84)
  • 少子寿命:≥100μs(微波光电导衰减,GB/T 26071)
表面污染物检测:
  • 有机残留物:总烃含量≤10ppm(GC-MS,ISO 11890)
  • 颗粒吸附水:≤50ppm(卡尔费休法,GB/T 6283)
晶体结构分析:
  • 晶相纯度:单晶硅占比≥99%(XRD,JCPDS 27-1402)
  • 位错密度:≤1000/cm²(蚀坑法,GB/T 1555)
热学性能检测:
  • 熔融特性:熔点1410±2℃(DSC,ASTM E793)
  • 热膨胀系数:2.6×10⁻⁶/K(20-800℃)
形貌特征检测:
  • 颗粒球形度:≥0.85(动态图像分析,ISO 13322-2)
  • 表面粗糙度:Ra≤0.1μm(SEM二次电子成像)
痕量气体分析:
  • 挥发性杂质:HCl≤1ppm、CH₄≤0.5ppm(TDS-GC,SEMI C3.39)
放射性核素:
  • 铀/钍含量:≤0.01ppb(高纯锗γ谱仪,IEC 61788)
流动特性:
  • 休止角:≤35°(粉末流动性测试仪,ISO 4324)
  • 压缩度:≤20%(PTR-RTE系统)

检测范围

1. 太阳能级多晶硅粉: 满足GB/T 25076标准,重点监控Fe/Al/Ca等金属杂质及粒径分布均匀性

2. 电子级多晶硅粉: 执行SEMI C28标准,核心检测硼磷含量及铀/钍放射性核素

3. 流化床法硅烷裂解粉: 侧重球形度(≥0.92)及表面氯化物残留(≤3ppm)

4. 冶金法提纯硅粉: 重点控制B/P含量梯度及碳化硅夹杂物(≤0.1wt%)

5. 3D打印用硅粉: 要求D90≤15μm且粒径分布跨度<1.2(ISO 13320)

6. 纳米硅复合负极材料: 检测比容量(≥2000mAh/g)及首次库伦效率(≥85%)

7. 硅碳负极前驱体: 监控碳包覆层厚度(5-20nm)及界面结合状态

8. 高纯硅溶胶原料: 检测胶体稳定性(Zeta电位≥|30|mV)及钠钾含量(≤50ppb)

9. 有机硅单体合成粉: 重点分析氯硅烷残留(≤100ppm)及催化金属含量

10. 半导体封装填料: 要求α射线发射率≤0.02cph/cm²及热导率≥120W/mK

检测方法

国际标准:

  • SEMI PV17-0612 光伏级硅粉金属杂质测试规范
  • ASTM E122-17 粒径分布统计精度控制方法
  • ISO 13320:2020 激光衍射法粒度分析通则
  • IEC 62108:2016 聚光光伏用硅材料电学特性
  • JIS R 1622:1995 硅粉比表面积测定方法
国家标准:
  • GB/T 26071-2010 硅粉少子寿命测试规程
  • GB/T 24583.2-2019 钒钛磁铁矿提硅粉杂质检测
  • GB/T 37049-2018 电子级多晶硅粉痕量元素分析
  • GB/T 5162-2021 金属粉末振实密度测定
  • GB/T 14837-2018 工业硅化学分析方法
(ASTM与GB在金属杂质检测中采用不同前处理流程:ASTM要求氢氟酸-HNO₃消解体系,GB规定王水密闭消解法;ISO与GB粒径检测存在光学模型差异,ISO推荐Mie理论,GB允许Fraunhofer近似)

检测设备

1. 高分辨电感耦合等离子体质谱仪: Agilent 8900型(检测限0.1ppt,质量范围2-260amu)

2. 傅里叶变换红外光谱仪: Bruker VERTEX 80v(分辨率0.1cm⁻¹,液氮冷却MCT检测器)

3. 激光粒度分析仪: Malvern Mastersizer 3000(测量范围0.01-3500μm,干湿法双模)

4. 低温光电导衰减测试仪: Semilab WT-2000(温度范围77-400K,微波频率10GHz)

5. 场发射扫描电镜: Zeiss GeminiSEM 500(分辨率0.8nm@15kV,EDS能谱分辨率124eV)

6. X射线衍射仪: Rigaku SmartLab SE(2θ精度±0.0001°,高温附件1600℃)

7. 全自动比表面及孔隙度分析仪: Micromeritics ASAP 2460(比表测量范围0.0005m²/g以上)

8. 四探针电阻率测试仪: Lucas Labs PRO4-440N(量程0.001-10000Ω·cm,恒流源±1%)

9. 同步热分析仪: Netzsch STA 449 F5(TG分辨率0.1μg,DSC噪声水平0.1μW)

10. 气相色谱-质谱联用仪: Thermo Scientific ISQ 7000(质量精度0.1ppm,扫描速度20,000amu/sec)

11. 高纯锗γ谱仪: Canberra GX6020(相对效率60%,能量分辨率1.7keV)

12. 动态图像分析仪: Retsch CAMSIZER X2(测量速度270帧/秒,形态参数库>30项)

13. 卡尔费休水分测定仪: Metrohm 917 Coulometric(检测限0.1μg H₂O,电解电流400mA)

14. 粉末流动性测试仪: Freeman FT4 Powder Rheometer(螺旋桨扭矩精度0.1mNm)

15. 全自动密度分析仪: Micromeritics AccuPyc II 1340(体积分辨率0.03%,气体纯度99.999%)

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与多晶硅粉末检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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