2025-06-01 16:25:57
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概述：检测项目 几何特性检测： 厚度均匀性：总厚度变化（TTV≤3μm，SEMI MF533）、局部厚度偏差（LTV≤1.5μm） 表面平整度：全局平整度（GBIR≤0.2μm，SEMI MF657）、局部平整度（SFQR≤0.05μm） 翘曲度：最大翘曲值（Warp≤30μm，SEMI MF1390） 表面缺陷检测： 颗粒污染：≥0.09μm颗粒密度（≤0.03个/cm²，SEMI M52） 表面微粗糙度：原子力显微镜均方根粗糙度（Ra≤0.1nm） 划痕与凹坑：缺陷密度（≤3个/片，SEMI F47） 电学
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
几何特性检测：
1. 单晶抛光硅片： 直径100-300mm P型/B型晶圆，重点检测表面纳米形貌与金属沾污
2. 外延硅片： 外延层厚度0.5-15μm，侧重电阻率均匀性与层错密度控制
3. SOI硅片： 埋氧层厚度检测（BOX 100-3000nm）及顶层硅均匀性
4. 退火硅片： 氧沉淀行为分析及内吸杂能力评估
5. 重掺衬底片： 电阻率检测（0.001-0.02Ω·cm）及翘曲控制
6. 光刻掩模版基板： 超低缺陷密度（≤0.01个/cm²）与透光均匀性
7. 太阳能级硅片： 少子寿命（≥30μs）及氧碳浓度控制
8. 化合物半导体衬底： SiC/GaN-on-Si界面缺陷检测
9. 特殊取向硅片： (110)/(111)晶向精度验证
10. 回收测试硅片： 表面再生质量评估与金属残留检测
国际标准：
1. 表面扫描仪： KLA-Tencor Surfscan SP3（激光散射颗粒检测，灵敏度0.09μm）
2. 几何参数测量仪： ADE UltraGage 9700（厚度/平整度测量，分辨率0.1μm）
3. 四探针电阻率仪： Four Dimensions 280SI（量程0.0005-300Ω·cm）
4. 全反射X荧光仪： Rigaku TXRF 3800（检测限1E9 atoms/cm²）
5. 傅里叶红外光谱仪： Bruker VERTEX 80v（氧碳检测精度±0.05ppma）
6. 微波光电导寿命仪： Semilab WT-2000（寿命范围0.1μs-20ms）
7. 原子力显微镜： Bruker Dimension Icon（分辨率0.1nm）
8. 纳米压痕仪： Keysight G200（载荷分辨率50nN）
9. X射线衍射仪： PANalytical Empyrean（晶向精度±0.01°）
10. 相移干涉仪： Zygo Verifire HD（形貌测量精度0.1nm）
11. 洁净度分析仪： Particle Measuring Systems LS100（液体颗粒计数）
12. 热脱附-气质联用仪： Agilent 8890/5977B（有机残留检测限0.1ng）
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
以上是与"半导体硅片检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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