检测项目

光学系统波长精度检测：曝光光源波长误差≤±0.1 nm，物镜数值孔径（NA）偏差≤±0.005

套刻精度检测：多层图案对位误差≤2 nm（3σ值）

工作台定位重复性检测：XY轴位移重复精度≤±3 nm，Z轴聚焦稳定性≤±10 nm

光源能量稳定性检测：脉冲能量波动≤±0.5%（10小时连续测试）

环境温控性能检测：腔体温度波动≤±0.01°C，湿度控制精度≤±1% RH

检测范围

半导体晶圆：硅基、化合物半导体（GaAs、SiC等）基板

光掩模版：铬版、相移掩模（PSM）、极紫外（EUV）掩模

光刻胶涂层：化学放大胶（CAR）、负性胶、厚膜胶（SU-8）

微机电系统（MEMS）：微结构图案线宽≥50 nm的器件

集成电路封装基板：ABF、BT树脂等材料的通孔与线路层

检测方法

光学波长校准：ISO 15368（激光干涉法）、GB/T 26533（光谱分析法）

套刻精度测试：ASTM F1811（图像比对法）、SEMI P35（激光干涉法）

机械运动检测：GB/T 26114（激光干涉仪动态扫描）、ISO 230-2（静态定位重复性）

光源能量分析：IEC 61215（光电二极管积分法）、SEMI E139（实时功率监测）

环境适应性验证：GB/T 2423.1（高温试验）、GB/T 2423.3（恒定湿热试验）

检测设备

Zygo Verifire™ MST干涉仪：光学系统波前像差检测（分辨率λ/1000）

Nikon NEXIV VM-3000激光干涉仪：工作台多轴运动误差测量（精度0.1 nm）

KLA-Tencor Archer™ 750套刻误差测量系统：全视场图像比对（灵敏度0.5 nm）

Keysight N7744A光功率计：宽波段（190-2200 nm）光源稳定性分析

ESPEC SH-261恒温恒湿箱：温控范围-70°C~+150°C，湿度范围10%~98% RH