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小圆片检测

  • 原创官网
  • 2025-06-12 17:25:09
  • 关键字:北检研究院,小圆片检测

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小圆片检测概述:小圆片检测主要针对直径≤100mm的盘状材料进行综合性能评估,核心检测对象涵盖半导体晶圆、精密陶瓷基片及金属垫片。关键项目包括几何尺寸公差(直径±0.05mm)、表面粗糙度(Ra≤0.02μm)、翘曲度(≤50μm/m)、薄膜厚度均匀性(CV≤3%)以及电学特性(电阻率10⁻³–10⁶Ω·cm)。检测过程需在ISOClass5洁净环境下执行,重点控制基材本征缺陷密度(≤0.5/cm²)和界面结合强度(≥15MPa)。

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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

几何特性检测:

  • 尺寸精度:直径公差(±0.02mm)、厚度偏差(±1μm)(参照GB/T21389)
  • 形变参数:翘曲度(≤75μm)、弯曲度(≤25μm/m)
表面性能检测:
  • 粗糙度检测:Ra值(≤0.1μm)、Rz值(≤0.8μm)(ISO4287)
  • 缺陷分析:划痕密度(≤3条/cm²)、凹坑直径(≤5μm)
力学性能检测:
  • 强度测试:抗弯强度(≥300MPa)、断裂韧性(KIC≥3.5MPa·m¹/²)
  • 硬度检测:维氏硬度(HV0.3≥800)、纳米压痕模量(≥180GPa)
薄膜特性检测:
  • 膜层厚度:溅射膜厚(200±5nm)、CVD涂层均匀性(σ≤2.5%)
  • 附着力:划格法(0级)、剥离强度(≥8N/cm)
电学性能检测:
  • 导电特性:方块电阻(0.1–100Ω/□)、电阻温度系数(|TCR|≤50ppm/℃)
  • 介电参数:介电常数(εr≥4.2)、损耗角正切(tanδ≤0.002)
热学性能检测:
  • 热膨胀系数:(CTE5.8±0.3×10⁻⁶/K)(ASTME228)
  • 导热性能:热导率(≥120W/m·K)(ISO22007-2)
成分分析检测:
  • 元素含量:金属杂质(Fe≤0.1ppm)、掺杂浓度(B1×10¹⁵±5%atoms/cm³)
  • 化合物检测:氧化物层(SiO₂纯度≥99.99%)
微观结构检测:
  • 晶格特性:晶向偏差(<0.5°)、位错密度(≤500/cm²)
  • 界面分析:扩散层厚度(≤50nm)、晶粒尺寸(G≥8级)
环境可靠性检测:
  • 耐腐蚀性:盐雾试验96h(等级≥9级)(GB/T10125)
  • 温度循环:-65℃↔150℃(1000次无开裂)
光学性能检测:
  • 透光特性:可见光透过率(≥92%@550nm)
  • 反射参数:镜面反射率(≤0.5%@633nm)

检测范围

1.硅半导体晶圆:4-12英寸单晶硅片,重点监控氧含量梯度(轴向波动≤5%)及局部平整度(SFQR≤0.13μm)

2.氧化铝陶瓷基片:96%–99.6%纯度基板,侧重介电击穿强度(≥15kV/mm)和金属化层结合力

3.金属封装垫片:可伐合金/铜钨复合材料,关键检测气密性(氦漏率≤1×10⁻⁸Pa·m³/s)和热疲劳寿命

4.压电陶瓷圆片:PZT系功能陶瓷,聚焦压电常数(d33≥450pC/N)和频率温度稳定性(Δfr/fr≤±0.3%)

5.蓝宝石衬底片:LED用C面晶圆,核心检测位错蚀坑密度(EPD≤3000/cm²)和双折射均匀性

6.聚合物薄膜圆盘:PI/PET柔性基材,重点评估吸水率(≤0.8%)和热收缩率(150℃≤0.1%)

7.硬质合金垫片:WC-Co系耐磨片,侧重洛氏硬度(HRA≥90)和断裂碎屑率(≤0.01%)

8.光学玻璃基片:K9/BK7材质,关键检测波前畸变(λ/10@632.8nm)和条纹等级

9.磁性合金薄片:Fe-Si软磁材料,重点检测矫顽力(Hc≤80A/m)和铁损(P1.0/400≤30W/kg)

10.复合陶瓷基板:氮化铝/氧化铍材料,核心检测热阻(≤0.5℃·cm²/W)和金属线路结合强度

检测方法

国际标准:

  • ISO1101:2017产品几何技术规范(GPS)
  • ASTMF104-11(2019)半导体晶片翘曲度测试
  • IEC60749-26:2013半导体器件机械冲击试验
  • JISR1639:2007精细陶瓷弯曲强度测试方法
国家标准:
  • GB/T6624-2023硅抛光片表面质量检测
  • GB/T16535-2022精细陶瓷弹性模量试验
  • SJ/TJianCe83-2014电子材料热膨胀系数测试
  • GB/T5210-2022色漆和清漆拉开法附着力试验

方法差异说明:GB/T228.1设定应变速率上限为0.008s⁻¹,而ASTME8允许最高0.015s⁻¹;ISO4287要求表面粗糙度评定长度5lc,国标GB/T10610采用4lc基准;JISH0602规定晶向测试最小步长0.001°,国标SJ/TJianCe79允许0.005°步进精度。

检测设备

1.激光干涉平整仪:ZYGOMarkIII-GPI(分辨率0.1nm,扫描精度±0.01μm)

2.原子力显微镜:BrukerDimensionIcon(扫描范围90μm,Z向分辨率0.05nm)

3.四点探针测试仪:NAPSONRM3000(电阻测量范围10⁻⁴–10⁶Ω,恒流源±0.1%)

4.光谱椭偏仪:J.A.WoollamM-2000UI(波长范围193–1690nm,膜厚分辨率0.1Å)

5.微力试验机:ShimadzuMCT-2150(载荷分辨率0.001N,位移精度±0.02μm)

6.X射线衍射仪:RigakuSmartLab(2θ精度±0.0001°,最小光斑50μm)

7.扫描电镜系统:ThermoScientificApreo2(分辨率0.8nm@1kV,EDS探测限0.1wt%)

8.热膨胀分析仪:NETZSCHDIL402C(温度范围-180℃–1550℃,膨胀分辨率0.025nm)

9.高频Q表:KeysightE4991B(测试频率1MHz–3GHz,Q值精度±1%)

10.氦质谱检漏仪:LeyboldPHOENIXL300i(最小可检漏率5×10⁻¹³mbar·L/s)

11.紫外分光光度计:PerkinElmerLambda1050+(波长精度±0.08nm,杂散光<0.0001%)

12.纳米压痕仪:KLAG200(最大载荷500mN,位移分辨率0.01nm)

13.激光导热仪:NETZSCHLFA467HyperFlash(导热测试范围0.1–2000W/m·K)

14.离子色谱仪:Metrohm930(阴离子检测限0.1ppb,分析时间≤10min)

15.高频振动台:LingES-20(频率范围5–3000Hz,最大加速度100g)

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与小圆片检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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