检测项目

晶粒尺寸及分布：检测平均晶粒尺寸（μm）、尺寸分布范围（D10-D90）、异常晶粒比例（%）

晶界特性：晶界角度分布（5°-60°）、晶界类型（大角度/小角度占比）

晶体缺陷：位错密度（10⁶-10¹⁰ cm⁻²）、孪晶密度（晶粒占比%）

相组成及含量：各相体积分数（%）、相分布均匀性（CV值≤0.3）

晶体取向及织构分析：极图强度（MRD值）、取向差分布（Δθ≤15°）

检测范围

金属材料：铝合金（AA 6061）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel 718）

半导体材料：单晶硅（Si〈100〉）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）

陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）、压电陶瓷（PZT-5H）

高分子材料：聚丙烯（PP）、聚醚醚酮（PEEK）

复合材料：碳纤维/环氧树脂（CFRP）、金属基复合材料（SiC/Al）

检测方法

金相法：ASTM E112（晶粒度测定）、GB/T 6394-2017（金属平均晶粒度评级）

X射线衍射（XRD）：ISO 22278（相定量分析）、GB/T 23413-2009（纳米晶材料检测）

电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627（取向成像分析）、GB/T 38809-2020（晶体学参数测定）

透射电子显微镜（TEM）：GB/T 27788-2020（位错密度测定）

同步辐射技术：GB/T 36065-2018（三维晶体结构重建）

检测设备

金相显微镜：Olympus GX53，配备Image-Pro Plus软件，支持晶粒度自动统计

X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE，Cu靶Kα辐射（λ=1.5406Å），2θ范围5°-120°

场发射扫描电镜：Thermo Scientific Apreo 2，分辨率1nm，集成EDAX EBSD系统

透射电子显微镜：JEOL JEM-2100Plus，点分辨率0.19nm，支持STEM-HAADF成像

同步辐射装置：上海光源BL14B1线站，能量范围5-20keV，空间分辨率50nm