检测项目

膜厚均匀性检测：测量范围0.1-10μm，精度±5%

成分分析：元素含量检测（精度0.1at%），化学计量比偏差≤2%

表面粗糙度检测：Ra值范围0.2-1.5nm，横向分辨率10nm

结合力测试：附着力强度≥50MPa，划痕法临界载荷20-200N

缺陷密度检测：针孔密度≤10个/cm²，晶界异常面积占比＜0.5%

检测范围

半导体材料：氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）外延层

光学镀膜：增透膜（AR coating）、反射膜（HR coating）

金属涂层：铝（Al）、铜（Cu）导电薄膜

高分子材料：聚酰亚胺（PI）绝缘层

复合材料：钛合金/陶瓷多层结构

检测方法

膜厚均匀性：ASTM F1044（台阶仪法），GB/T 11378-2005

成分分析：ISO 22309（EDS能谱法），GB/T 17359-2012

表面粗糙度：ISO 14705（AFM原子力显微镜法），GB/T 29505-2013

结合力测试：ASTM C1624（划痕试验法），GB/T 5270-2005

缺陷密度：SEMI MF1812（光学显微计数法），GB/T 30067-2013

检测设备

台阶仪：KLA Tencor P-17，分辨率0.1Å，扫描速度10mm/s

X射线光电子能谱仪：Thermo Scientific K-Alpha，能量分辨率0.5eV

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，扫描范围90μm×90μm

纳米压痕仪：Agilent G200，最大载荷500mN，位移分辨率0.01nm

场发射扫描电镜：Hitachi SU8220，分辨率0.8nm@15kV