检测项目

电气特性检测：

• 静态参数：断态峰值电压（VDRM≥1200V）、维持电流（IH≤15mA，参照IEC60747-6）
• 动态参数：开启时间（ton≤2μs）、关断时间（toff≤10μs）
• 触发特性：门极触发电压（VGT=1.0V-1.5V）、门极触发电流（IGT=5mA-50mA）

• 热阻测量：结-外壳热阻（RθJC≤1.5°C/W）、结-环境热阻（RθJA≤50°C/W）
• 温度特性：最大结温（Tjmax≥125°C）、热循环耐受性（ΔT=-40°C至150°C循环）
• 功率耗散：稳态功率损耗（Pd≤100W）、瞬态功率耐量（di/dt≥100A/μs）

• 封装完整性：引脚拉拔力（≥5N）、焊点剪切强度（≥10MPa）
• 结构检查：封装气密性（泄漏率≤1×10⁻⁶Pa·m³/s）、引脚共面性（偏差≤0.1mm）
• 振动测试：随机振动谱（5-2000Hz，加速度20Grms）

• 寿命试验：高温工作寿命（HTOL，1000h@125°C）、开关循环次数（≥10⁶cycles）
• 环境适应性：湿热试验（85°C/85%RH，168h）、温度冲击（-55°C至150°C，100cycles）
• 失效分析：早期失效率（FIT≤100）、平均无故障时间（MTTF≥10⁶h）

• 发射测试：辐射骚扰（30MHz-1GHz，限值≤40dBμV/m）
• 抗扰度测试：静电放电（ESD，±8kV接触放电）、浪涌抗扰度（1.2/50μs波形，±2kV）
• 传导干扰：电源线传导发射（150kHz-30MHz，准峰值≤60dBμV）

• 绝缘特性：绝缘电阻（≥1000MΩ）、介电强度（AC2500V，1min无击穿）
• 过压保护：雪崩能量耐受（EAS≥100mJ）、反向恢复电荷（Qrr≤1μC）
• 短路耐受：短路承受时间（≥10μs）、短路电流耐量（ISC≥100A）

• 开关速率：di/dt耐量（≥500A/μs）、dv/dt耐量（≥1000V/μs）
• 恢复特性：反向恢复时间（trr≤500ns）、正向恢复电压（VFR≤10V）
• 栅极驱动：栅极电荷（Qg≤100nC）、栅极电阻匹配（Rg=10Ω±5%）

• 导通特性：通态压降（VT≤1.7V@IT=100A）、通态斜率电阻（rT≤5mΩ）
• 阻断特性：反向阻断电压（VRRM≥1200V）、正向阻断电流（IRRM≤1mA）
• 漏电流：断态漏电流（IDSS≤10μA）、栅极漏电流（IGSS≤100nA）

• 内部检查：X射线成像（缺陷分辨率≤10μm）、显微结构分析（晶格缺陷评级）
• 材料成分：硅片纯度（杂质≤0.01ppm）、金属层厚度（Au/Ni层1-5μm）
• 界面特性：键合线拉力（≥0.5N）、芯片粘接强度（剪切力≥50MPa）

• 加速老化：高温高湿存储（85°C/85%RH，1000h）、功率循环疲劳（ΔTj=100°C，5000cycles）
• 机械疲劳：弯曲测试（曲率半径≥5mm，1000次）、冲击耐受（半正弦波，50g峰值）
• 化学稳定性：耐溶剂性（IPA浸泡24h无腐蚀）、阻燃性（JianCe94V-0等级）

检测范围

1.标准封装可控硅：TO-220/TO-247封装器件，重点检测引脚机械强度和热阻性能

2.高压可控硅组件：电压等级≥1600V的应用，侧重断态峰值电压和绝缘安全性检测

3.快速开关可控硅：用于高频逆变器，核心检测开关时间、di/dt耐量及栅极驱动特性

4.门极触发可控硅：光电耦合或低功率触发类型，着重门极电流电压参数及隔离性能验证

5.模块化可控硅组件：多芯片集成模块，检测热管理均衡性、内部连接可靠性及功率循环耐久性

6.消费电子用可控硅：小型SMD封装器件，重点检查尺寸精度、焊接兼容性及低功耗特性

7.工业驱动可控硅：高电流（≥200A）应用，核心验证通态压降、短路耐受及振动稳定性

8.汽车电子可控硅：宽温范围（-40°C至150°C）器件，侧重温度冲击耐受、EMC性能及寿命预测

9.光控可控硅组件：集成光敏单元，检测绝缘强度、光触发灵敏度及响应一致性

10.定制化可控硅：客户特定规格产品，全面覆盖电气、热力、机械及环境适应性指标验证

检测方法

国际标准：

• IEC60747-6半导体分立器件测试方法（电气参数基准）
• JEDECJESD22-A101高温存储寿命试验（老化测试规范）
• ISO16750-4汽车电子环境试验（振动与冲击方法）
• MIL-STD-750半导体器件测试方法（可靠性标准）
• EN55032电磁兼容发射测试（辐射骚扰限值）

• GB/T4937半导体分立器件试验方法（通用电气特性）
• GB/T2423电工电子产品环境试验（湿热与温度循环）
• GB9254信息技术设备无线电骚扰限值（传导干扰检测）
• GB/T17626电磁兼容抗扰度试验（ESD与浪涌方法）
• GB/T2828计数抽样检验程序（批次可靠性评估）

检测设备

1.半导体参数分析仪：KeysightB1500A型（电压范围0-3000V，电流分辨率1nA）

2.热阻测试系统：T3Ster仪器（结温测量精度±0.1°C，功率范围0-500W）

3.动态特性测试仪：TektronixDPO70000型（带宽30GHz，采样率100GS/s）

4.环境试验箱：ESPECPL-3K型（温度范围-70°C至180°C，湿度控制10-98%RH）

5.机械冲击试验机：LansmontSAVER9350型（冲击加速度0-500g，脉冲宽度0.5-20ms）

6.绝缘电阻测试仪：Chroma19032型（测试电压50-5000VDC，电阻范围0.01Ω-10TΩ）

7.EMI测试系统：Rohde&SchwarzESU40型（频率范围9kHz-7GHz，动态范围120dB）

8.X射线检测设备：NordsonDageXD7600NT型（分辨率<1μm，管电压160kV）

9.显微镜系统：OlympusBX53型（放大倍数50X-1000X，数字成像5MP）

10.寿命测试台：QualmarkHALT/HASS系列（温度变化率60°C/min，振动量级60Grms）

11.振动测试仪：Brüel&Kjær4808型（频率范围2-5000Hz，加速度0-100g）

12.功率循环装置：DELTADesignATLAS型（电流范围0-1000A，温度监控±1°C）

13.静电放电模拟器：EMTESTDITO系列（放电电压±30kV，波形符合IEC61000-4-2）

14.光谱分析仪：Agilent86100D型（波长范围600-1700nm，分辨率0.01nm）

15.键合拉力测试机：DageSeries4000型（拉力范围0.001-50N，精度

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与可控硅组件检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。