检测项目

晶体取向偏差角：±0.5°精度

晶界类型分类：小角度（2°-15°）、大角度（>15°）

菊池带分辨率：≤0.1μm（空间分辨率）

位错密度计算：10⁶-10¹² cm⁻²范围

织构系数测定：ODF最大强度值≥5

检测范围

金属材料：铝合金、钛合金、高温合金

半导体材料：单晶硅、GaN、SiC晶圆

陶瓷材料：氧化锆、氮化铝、碳化硅

复合材料：金属基/陶瓷基层状材料

高分子材料：液晶聚合物、取向薄膜

检测方法

ASTM E2627：电子背散射衍射（EBSD）标准

ISO 24173：菊池花样标定规程

GB/T 41076：晶体取向测定通用方法

ASTM E3-11：金相试样制备规范

GB/T 13298：金属显微组织检验方法

检测设备

扫描电子显微镜：蔡司Sigma 500，搭配Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器

EBSD探测器：EDAX Hikari Super，分辨率≤0.04μm，采集速度≥3000点/秒

样品制备系统：Struers Tegramin-30自动磨抛机，粒度0.02μm金刚石悬浮液

离子束抛光仪：Hitachi IM4000Plus，加速电压0.5-6kV可调

分析软件：TSL OIM Analysis 8.0，支持HCP/BCC/FCC结构解析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与菊池带检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。