检测项目
晶体取向偏差角：±0.5°精度
晶界类型分类：小角度（2°-15°）、大角度（>15°）
菊池带分辨率：≤0.1μm（空间分辨率）
位错密度计算：10⁶-10¹² cm⁻²范围
织构系数测定：ODF最大强度值≥5
检测范围
金属材料：铝合金、钛合金、高温合金
半导体材料：单晶硅、GaN、SiC晶圆
陶瓷材料：氧化锆、氮化铝、碳化硅
复合材料：金属基/陶瓷基层状材料
高分子材料：液晶聚合物、取向薄膜
检测方法
ASTM E2627：电子背散射衍射（EBSD）标准
ISO 24173：菊池花样标定规程
GB/T 41076：晶体取向测定通用方法
ASTM E3-11：金相试样制备规范
GB/T 13298：金属显微组织检验方法
检测设备
扫描电子显微镜：蔡司Sigma 500，搭配Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器
EBSD探测器：EDAX Hikari Super，分辨率≤0.04μm，采集速度≥3000点/秒
样品制备系统：Struers Tegramin-30自动磨抛机，粒度0.02μm金刚石悬浮液
离子束抛光仪：Hitachi IM4000Plus，加速电压0.5-6kV可调
分析软件：TSL OIM Analysis 8.0，支持HCP/BCC/FCC结构解析