检测项目

1. 电流传输比（CTR）：输入电流（IF=5-20mA）与输出电流（IC=1-10mA）比值，范围50%-600% 2. 隔离耐压：初级-次级间耐压测试（AC 3.75-5kV，60s漏电流≤1mA） 3. 响应时间：上升时间（tr≤3μs）、下降时间（tf≤4μs） 4. 输入/输出间电容：容值≤1pF（频率1MHz） 5. 温度特性：工作温度范围（-40℃至+110℃）下的CTR漂移率≤±15%

检测范围

1. 光电晶体管型光耦：如PC817、TLP521系列 2. 光电可控硅型光耦：如MOC3063、IL420 3. 高速逻辑门光耦：如6N137、HCPL-2601 4. 线性光耦：如IL300、HCNR201 5. 光继电器：如AQV214、TLP3542

检测方法

1. CTR测试：依据IEC 60747-5-5，采用恒流源驱动LED侧，测量光电探测器输出电流 2. 隔离耐压测试：按GB/T 15651-2021，使用50Hz正弦波电压施加1分钟 3. 响应时间测量：参照ASTM F1246-2016，采用脉冲发生器（tr≤10ns）及高速示波器（带宽≥100MHz） 4. 电容测试：依据IEC 62391-1，使用LCR表（测试频率1MHz±10%） 5. 高温老化测试：遵循GB/T 2423.2-2008，在110℃环境下持续96小时

检测设备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与光耦合器件检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。