检测项目
晶体结构分析（XRD法，检测精度±0.0001 nm）
晶格常数测定（误差范围≤0.02%）
晶粒尺寸分布（测试范围10 nm-500 μm）
晶体缺陷密度分析（分辨率达1×10⁶ cm⁻²）
相变温度测定（DSC法，温度范围-150℃~1600℃）
检测范围
半导体材料（硅、砷化镓、碳化硅晶圆）
金属合金（钛合金、高温合金、铝合金）
陶瓷材料（氧化锆、氮化硅、压电陶瓷）
高分子材料（液晶聚合物、共聚物晶体相）
功能晶体材料（铌酸锂、蓝宝石、闪烁晶体）
检测方法
X射线衍射法：ASTM E2627-18，GB/T 23413-2021
电子背散射衍射：ISO 24173:2021，GB/T 38885-2020
透射电子显微分析：ISO 25498:2018
拉曼光谱法：ASTM E1840-21，GB/T 36065-2018
差示扫描量热法：ISO 11357-3:2018，GB/T 19466.3-2022
检测设备
X射线衍射仪（Rigaku SmartLab 9kW）：晶面间距测定
场发射扫描电镜（FEI Nova NanoSEM 450）：晶粒形貌分析
透射电子显微镜（JEOL JEM-ARM300F）：原子级缺陷观测
激光显微拉曼光谱仪（Horiba LabRAM HR Evolution）：分子振动模式识别
同步热分析仪（NETZSCH STA 449 F5）：相变温度与热力学参数测定