硅杂质检测

检测项目

总硅含量检测：检测范围0.1ppm-1000ppm，精度±0.05ppm

硅形态分析：区分元素态/氧化物态/硅酸盐态，分辨率0.1μm

表面硅残留检测：检测下限0.01μg/cm²，适用0.1-10μm粒径

痕量硅检测：检测限0.001ppb，RSD≤5%

三维分布成像：空间分辨率50nm，元素分布图精度±2%

检测范围

高纯硅材料：单晶硅棒、多晶硅锭、硅外延片

半导体晶圆：8-12英寸晶圆表面污染物

光伏材料：太阳能级硅料、硅片、电池片

金属合金：铝合金、镁合金、钛合金基体

化工原料：硅烷气体、有机硅单体、二氧化硅溶胶

检测方法

ICP-MS法：ASTM D1976，GB/T 24582-2021，检测限0.01ppb

XRF光谱法：ISO 14706，GB/T 223.85，精度±0.5wt%

FTIR光谱法：ASTM E1252，GB/T 6040-2019，分辨率4cm⁻¹

GD-MS法：ISO 22048，检测深度0.1-100μm

TOF-SIMS法：ISO 21363，空间分辨率≤100nm

检测设备

Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS：质量范围2-290amu，检测限0.1ppt

Bruker S8 TIGER XRF：最大功率4kW，元素范围Be-U

PerkinElmer Spotlight 2000 FTIR：光谱范围7800-350cm⁻¹

CAMECA IMS 7f-Auto GD-MS：质量分辨率>10,000

ULVAC-PHI nanoTOF II：束斑直径50nm，质量精度±0.002Da

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"硅杂质检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。