检测项目
位错密度检测：测量范围10^4-10^12 cm⁻²，误差≤±5%
位错分布形态分析：包括直线型/蜷线型位错占比统计
位错运动特性检测：临界分切应力（0.1-2.0 GPa）测定
位错相互作用能：测量精度±0.05 eV
温度梯度下位错演变：温度范围-196℃至1200℃
检测范围
金属材料：铝合金（AA6061）、钛合金（Ti-6Al-4V）等
半导体材料：硅单晶（N型/P型）、GaAs外延片
高温结构陶瓷：Al₂O₃、SiC基复合材料
高分子结晶材料：聚丙烯（PP）、聚醚醚酮（PEEK）
金属基复合材料：碳纤维增强铝基（CF/Al）
检测方法
透射电镜法：ASTM E112-13，GB/T 24177-2009
X射线衍射法：ISO 24173:2009，GB/T 39498-2020
电子背散射衍射：ASTM E2627-19，ISO 24173:2009
纳米压痕法：ISO 14577-1:2015，GB/T 21838.1-2008
同步辐射白光拓扑法：ISO/TR 10993-22:2017
检测设备
JEOL JEM-ARM300F球差校正透射电镜：原子级分辨率（0.08 nm），配备Gatan K2-IS相机
Bruker D8 Discover X射线衍射仪：Cu靶Kα辐射（λ=0.154 nm），角度精度±0.0001°
FEI Scios 2 DualBeam聚焦离子束系统：离子束电流0.8 pA-65 nA，定位精度±1 nm
Keysight G200纳米压痕仪：最大载荷500 mN，位移分辨率0.01 nm
Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器：采集速率4000点/秒，角分辨率0.5°