检测项目

晶体结构分析：衍射斑点标定（加速电压80-300 kV，分辨率≤0.2 nm）

晶格常数测定：测量精度±0.002 Å，重复性误差＜0.5%

择优取向检测：极图采集角度范围0-360°，步长0.5°

缺陷表征：位错密度检测限1×10⁶ cm⁻²，层错概率分析误差±3%

相组成定量分析：物相识别准确度≥99%，含量检测下限0.5 wt%

检测范围

金属材料：铝合金（AA 6000系列）、钛合金（TC4, TA15）

半导体材料：硅片（<111>晶向）、GaN外延层

纳米材料：量子点（CdSe, 3-5 nm）、碳纳米管（直径1-2 nm）

陶瓷材料：氧化锆（YSZ）、氮化硅（β-Si₃N₄）

生物大分子：蛋白质晶体（晶胞参数10-100 Å）

检测方法

ASTM E2627-19：电子背散射衍射（EBSD）金属材料分析标准

ISO 20273:2017：透射电镜选区电子衍射（SAED）操作规范

GB/T 23412-2009：纳米材料电子衍射物相鉴定方法

ISO 16700:2019：扫描电镜电子通道衬度成像（ECCI）技术指南

GB/T 33815-2017：电子衍射数据采集与处理基本规范

检测设备

透射电子显微镜（TEM）：JEOL JEM-2100F，配备高速CCD相机（4k×4k像素），可实现0.14 nm点分辨率

场发射扫描电镜（FE-SEM）：FEI Quanta 250 FEG，配EDAX Hikari EBSD系统，空间分辨率3 nm

电子背散射衍射系统：Oxford Instruments Symmetry S2，支持全自动晶体取向成像

X射线衍射仪（XRD）：Rigaku SmartLab，配备高亮度微焦斑光源（50 μm束斑）

低温样品台：Gatan 636-DH，工作温度范围80-400 K，漂移率＜0.5 nm/min