检测项目

线宽测量：分辨率0.1μm，重复性±0.05μm（典型范围0.1-500μm）

膜层厚度：测量精度±0.5nm（范围1nm-100μm）

孔径精度：公差带±0.2μm（孔径范围5-2000μm）

表面间距：重复性误差≤0.03μm（间距0.5-1000μm）

三维形貌：Z轴分辨率0.3nm，XY平面定位误差±10nm

检测范围

半导体芯片：FinFET结构线宽、TSV通孔直径、晶圆薄膜厚度

光学元件：透镜曲率半径（R0.1-500mm）、衍射光栅周期（100-2000nm）

金属精密零件：微型齿轮模数（0.1-2.0）、轴承滚道圆度（IT3-IT5级）

高分子薄膜：阻隔层厚度（10-200μm）、微流控通道宽度（50-500μm）

复合材料：纤维直径（5-50μm）、层间结合面粗糙度（Ra 0.01-1.6μm）

检测方法

扫描电镜法：ASTM F42-20（半导体特征尺寸）、GB/T 27760-2011（纳米级测量）

白光干涉法：ISO 25178-604（三维形貌）、GB/T 34879-2017（粗糙度检测）

激光共聚焦：ISO 14978（几何量测量）、GB/T 38762-2020（微结构分析）

X射线衍射：ASTM E2865-12（薄膜厚度）、ISO 14706（表面晶体结构）

原子力显微镜：ISO 11039（纳米级形貌）、GB/T 31227-2014（表面力学校准）

检测设备

布鲁克Contour X500D三维光学轮廓仪：白光干涉技术，垂直分辨率0.1nm

蔡司Sigma 500场发射扫描电镜：5nm电子束分辨率，EDS能谱联用

基恩士LS-9000激光扫描仪：0.05μm线性精度，最大扫描速度200mm/s

三丰Quick Vision Pro三坐标测量机：空间精度（1.9+L/250）μm

奥林巴斯OLS5000激光共聚焦显微镜：1200万像素CCD，Z轴重复性2nm