检测项目
杂质元素含量检测（检测参数：B、P、As等痕量杂质，灵敏度≤0.01 ppb）
晶体缺陷密度分析（参数：位错密度≤103 cm-2，层错率＜0.1%）
电阻率均匀性测试（参数：径向偏差≤±5%，轴向梯度＜0.1 Ω·cm/mm）
氧/碳含量测定（参数：氧含量≤1×1016 atoms/cm³，碳含量≤5×1015 atoms/cm³）
熔区温度场分布（参数：温度梯度控制±1.5℃/mm，峰值温度重复性±0.3%）
检测范围
半导体单晶硅（直径100-450mm，纯度≥99.9999%）
III-V族化合物（GaAs、InP等，载流子浓度1014-1018 cm-3）
高纯金属锭（Cu、Al等，纯度≥6N级）
红外光学晶体（ZnSe、CdTe等，透过率＞70%@10 μm）
特种合金材料（Ni基高温合金、Ti-Al-V系等，成分偏差≤0.05 wt%）
检测方法
辉光放电质谱法（GD-MS，依据ISO 22033:2021）
X射线形貌术（XRT，执行GB/T 32282-2015）
四探针电阻率测试（按GB/T 1551-2021规范）
低温傅里叶红外光谱（FTIR，参照ASTM F1636-19）
扫描电子显微镜-能谱联用（SEM-EDS，符合ASTM E1508-20）
检测设备
Thermo Scientific ELEMENT GD Plus：全元素痕量分析，检测限达0.001 ppb
Bruker D8 DISCOVER XRT：亚微米级晶体缺陷成像，分辨率≤0.5 μm
Keithley 4200A-SCS：宽温区（-60℃~300℃）电阻率/霍尔效应测试系统
PerkinElmer Frontier L16：中远红外光谱分析，波长范围2.5-25 μm
JEOL JSM-7900F：场发射扫描电镜，搭配Oxford Ultim Max EDS，面分析精度±0.1 at%