1.晶格常数测定:采用X射线衍射法测量晶胞参数(精度0.001),分析晶体对称性
2.硬度测试:维氏硬度(HV)测量范围0.1-3000kgf,压痕对角线分辨率0.1μm
3.热膨胀系数分析:温度范围-196℃至1600℃,线性膨胀率测量精度0.0510⁻⁶/K
4.化学键能表征:XPS能谱分析结合UPS技术(能量分辨率≤0.45eV)
5.缺陷密度检测:激光散射法测定位错密度(灵敏度≥10cm⁻),电子显微镜观测层错率
1.超硬材料:单晶/多晶金刚石刀具与磨具
2.半导体衬底:4H-SiC、6H-SiC晶圆(直径≤200mm)
3.光学元件:立方氮化硼(c-BN)红外窗口片
4.耐高温陶瓷:AlN基板与Si₃N₄轴承部件
5.量子材料:二维六方氮化硼(h-BN)薄膜
1.ASTME112-13:晶粒度测定与统计分析方法
2.ISO14705:2016:高温维氏硬度测试规程(≥800℃)
3.GB/T4340.1-2009:金属材料维氏硬度试验第1部分:试验方法
4.ISO17561:2016:超硬材料弹性模量超声脉冲法
5.GB/T30758-2014:X射线衍射残余应力测定方法
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备9kW旋转阳极靶,2θ角精度0.0001
2.HysitronTI950纳米压痕仪:最大载荷30mN,位移分辨率0.02nm
3NetzschDIL402C膨胀仪:升温速率0-50K/min,真空度≤510⁻⁴mbar
4.FEIHeliosG4UX聚焦离子束电镜:分辨率0.7nm@15kV,EDS探测器能谱范围0-20keV
5.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:扫描范围90μm90μm,Z轴噪声<0.05nm
6.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-3kgf,光学系统500万像素CMOS
7.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD:配备PIXcel3D探测器,角度重现性0.0001
8.Agilent5500SPM系统:Q控制模式带宽≥5kHz,热漂移率<0.05nm/min
9.TAInstrumentsQ600同步热分析仪:DSC灵敏度<0.1μW,TG分辨率0.1μg
10.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:花样采集速度≥3000pps,角分辨率
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与共价键晶体检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。