检测项目
扩散层厚度：测量范围0.1-500μm，分辨率±0.05μm
共晶相组成比例：精度±0.5wt%，检测限0.1%
元素扩散系数：温度范围25-1200℃，误差≤5%
共晶相变温度：量程-196-1600℃，重复性±1℃
界面结合强度：测试载荷0.1-50kN，精度±0.5%FS
检测范围
电子封装材料：Sn-Pb/Sn-Ag-Cu共晶焊料
高温结构材料：Ni基/W基超合金
焊接材料：Al-Si/Al-Cu共晶体系
涂层材料：Fe-Cr-Al-Y扩散障涂层
半导体材料：Ge-Si/InSb-In共晶键合层
检测方法
ASTM E112：金相法测定扩散层厚度
GB/T 13305：XRD定量相组成分析
ISO 20482：电子探针微区成分分析
GB/T 4339：热膨胀法测定相变温度
ASTM E8/E8M：万能试验机界面强度测试
检测设备
场发射扫描电镜：FEI Nova NanoSEM 450，配备EDS/EBSD，用于微观结构表征
高温共聚焦显微镜：Lasertec VL2000DX-SVF17SP，实时观察相变过程
热分析系统：NETZSCH STA 449 F5，同步进行TG-DSC检测
X射线衍射仪：PANalytical X'Pert3 Powder，Cu靶，2θ范围5-160°
纳米压痕仪：Keysight G200，最大载荷500mN，位移分辨率0.01nm