检测项目

晶粒尺寸分布检测：测量范围0.1-500μm，偏差率≤±5%

晶粒取向差分析：角度分辨率0.1°，取向成像精度±0.5°

异常晶界比例测定：Σ3-Σ29晶界类型识别，误差≤2%

二次相析出检测：析出相尺寸0.05-10μm，面积占比0.01-15%

织构强度分析：极密度系数1.0-10.0，ODF定量计算

检测范围

高温合金材料：镍基/钴基超合金、钛铝合金

电子封装材料：Cu/W复合材料、Al-SiC基板

结构陶瓷材料：氧化锆增韧陶瓷、氮化硅陶瓷

半导体晶圆：硅单晶片、GaAs衬底

变形金属材料：冷轧钢板、挤压铝合金型材

检测方法

ASTM E112-13：晶粒度测定标准试验方法

ISO 643:2019：钢的奥氏体晶粒度显微测定

GB/T 13298-2015：金属显微组织检验方法

ASTM E2627-13：电子背散射衍射(EBSD)标准

GB/T 13305-2008：奥氏体不锈钢中α相面积含量测定

ISO 24173:2009：微束分析取向成像分析通则

检测设备

蔡司Sigma 500场发射扫描电镜：分辨率0.8nm@15kV，配备牛津Symmetry EBSD探测器

布鲁克D8 ADVANCE X射线衍射仪：2θ范围-10°~164°，Cu靶Kα辐射

莱卡DM2700M正置金相显微镜：最大放大1500X，配备Clemex图像分析系统

牛津仪器AZtecHKL Advanced系统：支持同步能谱与EBSD采集

岛津EPMA-1720电子探针：波长分辨率5eV，元素检测范围B~U