线宽参数检测:测量半高全宽(FWHM)值,范围0.5-2.0 eV
能量分辨率校准:精度要求±0.05 eV@5.9 keV
温度相关性系数:测定-196℃至1200℃范围内的展宽梯度(±0.02 eV/℃)
同位素位移分析:检测位移量0.001-0.1 nm量级
本底噪声抑制:信噪比≥100:1@1 MeV能区
核反应堆燃料元件(UO₂、MOX等)
半导体掺杂硅晶圆(硼、磷掺杂浓度1E14-1E20 atoms/cm³)
高温合金叶片(镍基单晶CMSX-4系列)
光学镀膜材料(Ta₂O₅/SiO₂多层膜系)
高分子辐射改性材料(PTFE、PEEK等)
ASTM E1508-22:X射线衍射法测定晶体材料展宽参数
ISO 15472:2020:表面化学分析-XPS能谱展宽校正规程
GB/T 13301-2021:金属材料中子衍射多普勒展宽测试方法
ISO 21238:2023:核设施材料伽马能谱展宽分析导则
GB/T 40794-2021:半导体材料正电子湮没谱检测规范
Thermo Scientific K-Alpha+ XPS系统:配备单色化Al Kα源(1486.6 eV),能量分辨率≤0.4 eV
CANBERRA GEM60P4 HPGe探测器:相对效率60%,FWHM≤1.8 keV@1.33 MeV
Rigaku SmartLab 9kW衍射仪:配备高温附件(最高1600℃),角度重复性±0.0001°
Ortec ACE-MCA多道分析仪:8192道ADC,死时间<5 μs
FastComTec MPA-3穆斯堡尔谱仪:速度范围±12 mm/s,温度控制±0.1K
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与多普勒展宽检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。