检测项目

阻断电压（V_DRM/V_RRM）：500-6500V范围测试，偏差±1.5%

触发电流（I_GT）：0.5-500mA阈值测量，分辨率0.1μA

维持电流（I_H）：10-1000mA稳态保持能力检测

开关时间（t_on/t_off）：0.1-100μs精度测量，误差≤±2%

热阻（R_thJC）：0.1-5K/W热特性评估，温控精度±0.5℃

检测范围

普通晶闸管（SCR）：KP型、KK型系列

双向晶闸管（TRIAC）：BTA/BTB系列

门极关断晶闸管（GTO）：SG系列、ABB 5STP系列

光控晶闸管（LTT）：LTT-05/LTT-1系列

快速晶闸管（FSCR）：KK2000/KK3000系列

检测方法

阻断特性测试：IEC 60747-6标准/IEC 60749-20环境试验

动态参数测量：GB/T 15291-2013《半导体器件 分立器件》

热阻测试：ASTM D5470-2022热传导标准方法

浪涌电流测试：IEC 61000-4-5电磁兼容标准

寿命试验：GB/T 4937-2018半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

Keysight B1505A高精度半导体参数测试仪：支持2000V/100A脉冲测试

Tektronix DPO7054C数字示波器：5GHz带宽，40GS/s采样率

Chroma 19032功率循环测试系统：±0.1%电流精度

Fluke 6100A电能标准源：0.02级电压输出精度

T3Ster MicRed热阻测试仪：μs级瞬态热响应测量

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与晶体闸流管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。