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晶界区检测

  • 原创官网
  • 2025-03-14 15:29:31
  • 关键字:晶界区测试周期,晶界区测试仪器,晶界区测试标准
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晶界区检测概述:晶界区检测是材料微观结构分析的核心环节,重点针对晶界形态、化学成分及力学性能开展系统性表征。检测涉及晶界能测定、晶界相成分分析、取向差角测量等关键参数,需采用电子显微镜、能谱仪等精密设备,并严格遵循ASTM、ISO及GB/T等标准规范,为金属合金、陶瓷等材料的性能优化提供科学依据。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

晶界能测定:单位面积界面能(J/m²),测试温度范围20-1200℃

晶界扩散系数:元素扩散激活能(eV),扩散速率(m²/s)

晶界相成分分析:析出相元素含量(原子百分比),相分布密度(个/μm²)

晶界取向差角:相邻晶粒位向偏差(0-62.8°),统计分布比例

晶界腐蚀敏感性:临界点蚀电位(mV),腐蚀电流密度(A/cm²)

检测范围

高温合金:镍基/钴基超合金涡轮叶片、燃烧室部件

半导体材料:硅晶圆、GaN外延层界面

金属陶瓷:WC-Co硬质合金刀具材料

纳米晶材料:粒径<100nm的铜/钛合金

结构陶瓷:Al₂O₃/ZrO₂多晶烧结体

检测方法

ASTM E112-13:晶粒度测定与统计分析方法

ISO 643:2019:钢的奥氏体晶粒度评级

GB/T 13298-2015:金属显微组织检验方法

GB/T 4334-2020:不锈钢晶间腐蚀试验方法

ASTM G108-94(2020):镍基合金晶界腐蚀敏感性电化学评价

ISO 17475:2005:电化学阻抗谱法测定局部腐蚀敏感性

检测设备

场发射扫描电镜(FEI Nova NanoSEM 450):配备EBSD系统,空间分辨率1nm,取向分析精度0.1°

透射电子显微镜(JEOL JEM-ARM300F):球差校正型,点分辨率0.08nm,配备EDS能谱仪

X射线能谱仪(Oxford X-MaxN 150):检测元素范围B-U,能量分辨率127eV

电化学工作站(Gamry Reference 600+):阻抗频率范围10μHz-4MHz,电流分辨率2pA

原子探针层析仪(Cameca LEAP 5000 XR):质量分辨率m/Δm>2000,探测效率80%

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与晶界区检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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