检测项目
晶格常数偏差率：测量Δa/a0，范围±0.1%至5%
界面错配度：计算δ=(a2-a1)/a1×100%，精度±0.02%
应变张量分量：εxx, εyy, εzz，分辨率1×10-4
位错密度：检测范围106-1012 cm-2
晶面倾斜角：θ测量范围0-5°，精度±0.005°
检测范围
半导体异质结材料：GaAs/Si、InGaN/GaN等
金属多层膜结构：Cu/Ni、Al/Ti等梯度材料
高温合金单晶叶片：镍基CMSX-4系列
压电陶瓷薄膜：PZT、BaTiO3等
二维材料异质结构：MoS2/WS2、石墨烯/氮化硼
检测方法
X射线衍射法：ASTM E915-16、GB/T 23413-2009
透射电子显微术：ISO 21346:2021、GB/T 27788-2020
拉曼光谱法：ISO 20310:2018，应变敏感度0.1%
中子衍射法：ASTM E2860-20，穿透深度>50mm
同步辐射白光拓扑术：空间分辨率0.5μm
检测设备
X'Pert³ MRD XL衍射仪：配备Hybrid Pixel探测器，2θ角范围0-168°
JEM-ARM300F球差校正电镜：点分辨率0.05nm，STEM模式晶格成像
LabRAM HR Evolution光谱仪：532nm/633nm双激光源，0.35cm-1光谱分辨率
HELios 5 UX FIB-SEM：30kV聚焦离子束，原位应变分析模块
D8 DISCOVER中子衍射仪：λ=0.1-0.3nm连续可调，三维应变测绘