晶格错配检测

检测项目

晶格常数偏差率：测量Δa/a₀，范围±0.1%至5%

界面错配度：计算δ=(a₂-a₁)/a₁×100%，精度±0.02%

应变张量分量：ε_xx, ε_yy, ε_zz，分辨率1×10^-4

位错密度：检测范围10⁶-10¹² cm^-2

晶面倾斜角：θ测量范围0-5°，精度±0.005°

检测范围

半导体异质结材料：GaAs/Si、InGaN/GaN等

金属多层膜结构：Cu/Ni、Al/Ti等梯度材料

高温合金单晶叶片：镍基CMSX-4系列

压电陶瓷薄膜：PZT、BaTiO₃等

二维材料异质结构：MoS₂/WS₂、石墨烯/氮化硼

检测方法

X射线衍射法：ASTM E915-16、GB/T 23413-2009

透射电子显微术：ISO 21346:2021、GB/T 27788-2020

拉曼光谱法：ISO 20310:2018，应变敏感度0.1%

中子衍射法：ASTM E2860-20，穿透深度>50mm

同步辐射白光拓扑术：空间分辨率0.5μm

检测设备

X'Pert³ MRD XL衍射仪：配备Hybrid Pixel探测器，2θ角范围0-168°

JEM-ARM300F球差校正电镜：点分辨率0.05nm，STEM模式晶格成像

LabRAM HR Evolution光谱仪：532nm/633nm双激光源，0.35cm^-1光谱分辨率

HELios 5 UX FIB-SEM：30kV聚焦离子束，原位应变分析模块

D8 DISCOVER中子衍射仪：λ=0.1-0.3nm连续可调，三维应变测绘