检测项目

载流子浓度：测量范围1e15~1e20 cm⁻³，精度±3%

击穿电压：测试范围50~3000 V，上升速率10 V/μs

缺陷密度：检测灵敏度≥0.1 μm缺陷，定位精度±5 nm

表面粗糙度：Ra值检测范围0.1~100 nm，分辨率0.01 nm

热导率：测试范围1~2000 W/(m·K)，温度范围-196~1500℃

检测范围

硅基半导体材料：单晶硅片、SOI晶圆、外延层

III-V族化合物半导体：GaAs、GaN、InP基器件

二维半导体材料：MoS₂、WS₂等过渡金属硫化物

功率半导体器件：IGBT、MOSFET、SiC模块

光电器件：LED芯片、激光二极管、光电探测器

检测方法

载流子浓度：霍尔效应测试（ASTM F76，GB/T 1551）

缺陷分析：阴极荧光光谱（ISO 18516，GB/T 35031）

表面表征：原子力显微镜三维重构（ISO 11039，GB/T 31227）

热特性测试：激光闪射法（ASTM E1461，GB/T 22588）

电学性能：脉冲I-V曲线测试（JESD22-A115，GB/T 4937）

检测设备

扫描电子显微镜：Hitachi SU8000，配备EDS能谱仪，空间分辨率0.8 nm

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，峰值力轻敲模式，Z轴分辨率0.1 nm

参数分析仪：Keithley 4200-SCS，支持DC-IV/CV测试，电流分辨率10 fA

热分析系统：NETZSCH LFA 467 HyperFlash，支持瞬态平面热源法

霍尔效应测试系统：Lake Shore 8404，磁场强度2 T，样品温度范围10-800 K

X射线衍射仪：Rigaku SmartLab，高分辨率HRXRD，角度精度±0.0001°

半导体参数分析仪：Agilent B1500A，支持脉冲测量，电压范围0.1μV~3000V