检测项目

化学成分分析：Si3N4纯度（≥95%）、游离硅含量（≤0.5%）、氧含量（≤1.5%）

密度测试：理论密度3.17-3.35 g/cm³，实测偏差≤±0.05 g/cm³

维氏硬度：Hv10≥1500，测试载荷9.8 N

热导率：室温下20-30 W/(m·K)，高温（1000℃）≥15 W/(m·K)

介电常数：1MHz频率下6-8，损耗角正切≤0.001

抗弯强度：三点弯曲法≥600 MPa，跨距30 mm

晶相结构分析：α相与β相比率（α:β≤5:95）

表面粗糙度：Ra≤0.1 μm（抛光面）

氧含量检测：惰性气体熔融法，误差±0.2 wt%

断裂韧性：单边切口梁法≥5.5 MPa·m¹/²

检测范围

陶瓷基复合材料：热压烧结氮化硅、反应烧结氮化硅

半导体封装材料：高导热氮化硅基板、绝缘衬底

切削工具：氮化硅涂层刀具、整体陶瓷刀片

轴承材料：全陶瓷轴承滚子、混合陶瓷轴承套圈

光学镀膜材料：抗反射涂层、耐高温窗口材料

检测方法

化学成分检测：GB/T 16555-2017（X射线荧光光谱法）

密度测试：ASTM B962-17（阿基米德排水法）

维氏硬度测试：ISO 18757-2003（显微硬度计法）

热导率测定：ASTM E1461-13（激光闪光法）

晶相结构分析：GB/T 23413-2009（X射线衍射定量法）

表面形貌观测：ISO 16700-2016（扫描电镜法）

氧含量检测：GB/T 11261-2006（氧氮氢分析仪法）

介电性能测试：IEC 60250-1969（平行板电容法）

检测设备

X射线荧光光谱仪（Thermo Scientific ARL QUANT'X）：元素定量分析（Si、N、O等）

密度分析仪（Mettler Toledo XS205）：精确测量材料体积密度

显微硬度计（ZwickRoell ZHU 2.5）：维氏/努氏硬度自动测试

激光导热仪（Netzsch LFA 467）：-120℃~2000℃热扩散率测定

X射线衍射仪（Bruker D8 ADVANCE）：物相定量与晶格常数分析

原子力显微镜（Bruker Dimension Icon）：表面粗糙度纳米级测量

扫描电镜（Thermo Scientific Apreo 2）：微区形貌与能谱联用分析

氧氮氢分析仪（Horiba EMGA-920）：ppm级氧含量检测

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与氮化硅检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。