多晶硅纯度分析

检测项目

1.主成分分析：硅含量、碳含量、氧含量、氮含量、氢含量、氯含量、氟含量、硫含量、磷含量、硼含量等。

2.杂质元素检测：铁含量、铜含量、铝含量、钠含量、钙含量、镁含量、钛含量、锰含量、铬含量、镍含量等。

3.物理性能测试：密度、硬度、晶粒尺寸、孔隙率、比表面积、热膨胀系数、导热系数、熔点、凝固点、粘度等。

4.电性能测试：电阻率、载流子浓度、霍尔迁移率、少数载流子寿命、击穿电压、介电常数、导电类型、表面电位、漏电流、电容特性等。

5.结构特性测试：晶体取向、晶界分布、位错密度、孪晶结构、相组成、微观形貌、表面粗糙度、厚度均匀性、应力分布、缺陷浓度等。

6.表面分析：表面成分、氧化层厚度、污染水平、吸附特性、润湿性、腐蚀速率、钝化效果、反射率、透射率、发射率等。

7.热性能测试：热稳定性、热循环性能、热扩散率、比热容、热导率、高温变形、低温脆性、热应力、热疲劳、相变温度等。

8.机械性能测试：抗拉强度、抗压强度、弯曲强度、冲击韧性、疲劳寿命、蠕变性能、弹性模量、泊松比、硬度分布、断裂韧性等。

9.光学性能测试：折射率、吸收系数、散射特性、荧光强度、发光效率、颜色坐标、透光率、雾度、偏振特性等。

10.晶体学分析：晶格常数、衍射图谱、织构系数、择优取向、多晶型转变、亚稳态结构、非晶含量、结晶度、取向分布函数等。

11.缺陷检测：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷、空洞、裂纹、夹杂物、沉淀相、界面状态、位错环等。

12.纯度等级评定：总杂质含量、关键杂质限值、纯度百分比、等级分类、一致性评估、批次差异、统计过程控制、合格判定、误差分析等。

13.环境适应性测试：高温高湿、温度冲击、盐雾腐蚀、紫外线老化、臭氧暴露、酸碱侵蚀、氧化环境、还原环境、真空条件等。

14.寿命测试：老化速率、性能衰减、失效模式、加速试验、循环稳定性、存储寿命、工况模拟、预测模型、退役评估等。

15.一致性测试：样品间差异、分布均匀性、重复性误差、再现性评估、数据离散度、质量控制图、过程能力指数、抽样检验等。

检测范围

太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、高纯多晶硅、再生多晶硅、多晶硅锭、多晶硅片、多晶硅粉末、多晶硅颗粒、多晶硅棒、多晶硅块、多晶硅薄膜、多晶硅晶圆、多晶硅废料、多晶硅回收料、多晶硅中间产品、多晶硅成品、多晶硅复合材料、多晶硅涂层、多晶硅纤维、多晶硅纳米材料等。

检测方法/标准

国际标准：

IEC 60749、ISO 14644-1、ASTM F1241、JIS H 0601、ISO 17025、IEC 61010-1、ISO 9001、ASTM E1256、ISO 6979、IEC 62321、ISO 11843、ASTM E177、ISO 5725、IEC 60335、ISO 14001等。

国家标准：

GB/T 1551、GB/T 14844、GB/T 13389、GB/T 14140、GB/T 14264、GB/T 14846、GB/T 15077、GB/T 16597、GB/T 17473、GB/T 18376、GB/T 19001、GB/T 24001、GB/T 28001、GB/T 50001等。

检测设备

1.辉光放电质谱仪：用于高灵敏度检测多晶硅中痕量杂质元素；配备射频源，实现元素定性和定量分析，检测限低至ppb级别。

2.傅里叶变换红外光谱仪：分析多晶硅中氧、碳等轻元素含量；通过红外吸收光谱，测量特定波长的吸收峰值。

3.X射线衍射仪：测定多晶硅晶体结构和相组成；使用铜靶辐射，进行角度扫描和衍射图谱解析。

4.四探针电阻率测试仪：测量多晶硅的电阻率和载流子浓度；采用线性排列探针，施加电流并测量电压降。

5.扫描电子显微镜：观察多晶硅表面形貌和微观结构；配备能谱仪，实现元素分布 mapping。

6.霍尔效应测试系统：评估多晶硅的电学性能如载流子迁移率；在磁场中测量电压和电流，计算霍尔系数。

7.热分析仪：测试多晶硅的热性能如热稳定性和相变；采用差示扫描量热法，记录温度-热流曲线。

8.电感耦合等离子体质谱仪：检测多晶硅中金属杂质含量；通过等离子体电离，进行多元素同步分析。

9.紫外可见分光光度计：分析多晶硅的光学特性如透射率和吸收系数；使用双光束系统，扫描波长范围。

10.原子力显微镜：表征多晶硅表面粗糙度和纳米级缺陷；使用微悬臂探针，测量表面形貌和力曲线。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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