检测项目
荧光强度分布：测量相对强度百分比（0-100%），误差范围≤±2%
量子产率测定：计算绝对量子产率（Φ≥0.8为合格基准）
激发/发射光谱扫描：波长范围200-800nm，分辨率0.1nm
荧光寿命分析：时间分辨率≤100ps，测量范围0.1ns-10ms
缺陷密度计算：基于猝灭效应评估缺陷浓度（单位：cm⁻³）
检测范围
半导体材料：GaN、SiC等宽禁带半导体晶片
光学薄膜：AR镀膜、干涉滤光片等光学涂层
生物样本：蛋白质标记物、细胞染色切片
高分子材料：聚合物薄膜/纤维的结晶缺陷
纳米材料：量子点尺寸分布与表面态分析
检测方法
ASTM E2143-18：荧光强度标准测试方法
ISO 11371:2021：时间分辨荧光光谱技术规范
GB/T 32672-2016：量子产率积分球测定法
ASTM E388-18：光谱带宽校准规程
GB/T 39491-2020：荧光寿命成像技术通则
检测设备
HORIBA Fluorolog-QM稳态/瞬态荧光光谱仪：支持0.1nm光谱分辨率与TCSPC技术
Edinburgh Instruments FLS1000光致发光谱仪：配备液氮冷却PMT探测器（185-1700nm）
PerkinElmer LS55发光光谱仪：具备三维扫描与磷光测量功能
Hamamatsu C11347量子产率测量系统：集成150mm积分球组件
PicoQuant FluoTime300时间分辨系统：时间相关单光子计数模块（IRF＜50ps）