荧光缺陷检测

检测项目

荧光强度分布：测量相对强度百分比（0-100%），误差范围≤±2%

量子产率测定：计算绝对量子产率（Φ≥0.8为合格基准）

激发/发射光谱扫描：波长范围200-800nm，分辨率0.1nm

荧光寿命分析：时间分辨率≤100ps，测量范围0.1ns-10ms

缺陷密度计算：基于猝灭效应评估缺陷浓度（单位：cm⁻³）

检测范围

半导体材料：GaN、SiC等宽禁带半导体晶片

光学薄膜：AR镀膜、干涉滤光片等光学涂层

生物样本：蛋白质标记物、细胞染色切片

高分子材料：聚合物薄膜/纤维的结晶缺陷

纳米材料：量子点尺寸分布与表面态分析

检测方法

ASTM E2143-18：荧光强度标准测试方法

ISO 11371:2021：时间分辨荧光光谱技术规范

GB/T 32672-2016：量子产率积分球测定法

ASTM E388-18：光谱带宽校准规程

GB/T 39491-2020：荧光寿命成像技术通则

检测设备

HORIBA Fluorolog-QM稳态/瞬态荧光光谱仪：支持0.1nm光谱分辨率与TCSPC技术

Edinburgh Instruments FLS1000光致发光谱仪：配备液氮冷却PMT探测器（185-1700nm）

PerkinElmer LS55发光光谱仪：具备三维扫描与磷光测量功能

Hamamatsu C11347量子产率测量系统：集成150mm积分球组件

PicoQuant FluoTime300时间分辨系统：时间相关单光子计数模块（IRF＜50ps）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"荧光缺陷检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。