检测项目

静态导通电阻（Rds(on)）：测试电流20A-100A@25℃/150℃，Vgs=20V

温度系数（TCR）：-55℃至+175℃范围内ΔRds(on)/ΔT变化率

动态导通电阻（Rds(dyn)）：开关频率10kHz-100kHz下的阻抗特性

阈值电压漂移（Vth shift）：1000小时HTGB测试后Vth偏移量≤0.3V

栅极电荷影响（Qg-Rds相关性）：Qg=50nC-200nC时的Rds波动范围

检测范围

1200V/650V N沟道SiC MOSFET芯片

TO-247-4L封装功率模块

1700V平面栅结构器件

双面散热DSC封装器件

车规级AEC-Q101认证模块

检测方法

静态参数测试：IEC 60747-8半导体分立器件标准第8部分

动态特性分析：ASTM F42.030宽禁带半导体动态参数测试规范

高温反偏试验：JEDEC JESD22-A108E Class H条件

热阻测量：MIL-STD-750 Method 3101结壳热阻测试法

开关损耗校准：GB/T 4023-2015电力电子器件测试通则第5.6条

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持2000V/1000A脉冲测试

Tektronix DPO70000示波器+TCP0030电流探头：100MHz带宽动态波形采集

ESPEC PL-3KFP温度冲击箱：-65℃~+200℃快速温变控制

Cascade Summit 12000探针台：12英寸晶圆级参数扫描

Hioki IM3590阻抗分析仪：10μHz~200MHz频段特性测量

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与sicmosfet导通电阻测量检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。