单元残留分析

检测项目

1.光刻工艺残留物分析：光刻胶残留、光刻胶显影液组分残留、抗反射涂层残留、边缘剥离物。

2.蚀刻与灰化残留物分析：等离子体蚀刻副产物残留、蚀刻气体残留、灰化后碳化物残留、侧壁聚合物残留。

3.湿法清洗工艺残留物分析：硫酸及过氧化氢混合物残留、氢氟酸及缓冲氧化物蚀刻液残留、氨水与双氧水混合物残留、有机溶剂残留、表面活性剂残留。

4.薄膜沉积工艺残留物分析：化学气相沉积前驱体残留、原子层沉积前驱体残留、金属有机化合物残留、反应副产物气体残留。

5.化学机械抛光残留物分析：抛光磨料颗粒残留、抛光液中有机添加剂残留、表面金属污染、氧化硅残留。

6.离子注入与扩散残留分析：掺杂剂元素表面残留、光刻胶掩模灰化残留、退火后杂质再分布分析。

7.金属化工艺残留分析：电镀液添加剂残留、化学镀催化剂残留、金属蚀刻后卤素元素残留、阻挡层材料残留。

8.有机污染物分析：硅片盒及传输系统挥发性有机物残留、真空泵油蒸汽污染、塑封料析出物、人体皮肤油脂污染。

9.无机阴离子与阳离子分析：氟离子、氯离子、硫酸根离子、铵根离子、钠离子、钾离子、钙离子、镁离子残留。

10.颗粒污染分析：工艺腔体脱落颗粒、环境落尘、液体化学品携带颗粒、硅屑残留。

11.金属污染物分析：铁、镍、铜、锌、铝、钛等过渡金属及碱金属杂质残留。

12.表面能态与电学特性影响评估：残留物导致的界面态密度变化、平带电压漂移、栅极氧化物完整性退化。

检测范围

硅晶圆、外延片、图案化晶圆、栅极氧化层、浅沟槽隔离结构、多晶硅栅极、金属互连线、焊垫、微机电系统器件结构、光掩膜版、光刻版、化学机械抛光后晶圆、晶圆背面、切割道、封装用硅片、引线框架表面

检测设备

1.气相色谱质谱联用仪：用于分离并鉴定晶圆表面及界面残留的痕量挥发性及半挥发性有机化合物；具备极高的灵敏度与化合物库检索能力。

2.液相色谱质谱联用仪：适用于分析非挥发性有机残留物、大分子添加剂及离子型污染物；可进行精准的定性与定量分析。

3.飞行时间二次离子质谱仪：用于对样品表面进行微区、深度剖析，检测元素及分子碎片残留；提供三维空间分布信息。

4.全反射X射线荧光光谱仪：专用于硅片表面超痕量金属污染物的无损检测；对碱金属及过渡金属元素具有极低的检测限。

5.电感耦合等离子体质谱仪：用于溶液或酸浸取样品中超低浓度的多元素无机杂质分析；具备极宽的动态范围和极佳的检出能力。

6.傅里叶变换红外光谱仪：通过分子指纹图谱鉴定表面化学键与官能团，用于分析有机薄膜、聚合物及特定化学残留。

7.原子力显微镜：用于在纳米尺度上观察和测量表面形貌，评估颗粒污染、残留薄膜的均匀性及表面粗糙度。

8.扫描电子显微镜及能谱仪：提供高分辨率表面形貌图像，并结合能谱进行微区元素成分分析，定位特定残留物。

9.热脱附气相色谱质谱联用系统：通过程序控温加热，将吸附或残留在样品中的挥发物释放并进行分析，用于评估可挥发残留总量。

10.表面光电压测量系统：通过测量表面光生电压，非接触式评估由化学残留引起的表面能带弯曲及界面电学状态变化。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"单元残留分析"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。