晶带检测

检测项目

晶带轴偏差角测量（范围±0.5°~±5.0°，分辨率0.01°）

晶界分布密度分析（统计区域≥50μm²，精度±2个/μm²）

晶体取向一致性评估（极图强度比≥85%）

亚晶粒尺寸测定（测量范围0.1-100μm，误差≤5%）

位错密度计算（基于EBSD数据反演，灵敏度1×10⁶/cm²）

检测范围

半导体材料：单晶硅片（直径≤300mm）、砷化镓外延层

金属合金：钛合金锻件（TC4/TA15系列）、高温合金涡轮叶片

陶瓷材料：氧化铝基板（纯度≥99.6%）、氮化硅轴承球

高分子薄膜：双向拉伸聚酰亚胺膜（厚度5-50μm）

复合材料：碳纤维/环氧树脂预浸料（铺层角度0°~90°）

检测方法

电子背散射衍射法（ASTM E2627/GB/T 38885）

X射线衍射极图法（ISO 21418/GB/T 8362）

透射电镜选区衍射（ASTM E2093/GB/T 27788）

同步辐射劳厄成像（ISO 24173/GB/T 36065）

激光共聚焦显微术（ASTM E1245/GB/T 3488.2）

检测设备

电子背散射衍射仪：Oxford Instruments Symmetry S2（空间分辨率10nm）

X射线衍射仪：Bruker D8 Discover（角度重复性±0.0001°）

透射电子显微镜：JEOL JEM-ARM300F（点分辨率0.08nm）

同步辐射装置：上海光源BL14B1线站（能量范围5-30keV）

激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000（Z轴分辨率1nm）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"晶带检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。