检测项目

结晶角偏差范围：±0.5°~±2.0°（依据材料类别分级）

晶界连续性等级：I级（无断裂）至III级（局部断裂）

晶粒尺寸分布：10-200μm（精度±0.1μm）

取向差角度测量：5°-62.8°（EBSD系统标定）

亚晶界密度：≤5条/mm²（SEM图像分析）

检测范围

金属合金：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）

陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）

高分子材料：聚乙烯（UHMWPE）晶体薄膜

半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）

复合材料：碳纤维增强聚合物（CFRP）界面层

检测方法

ASTM E112：金属材料平均晶粒度测定方法

ISO 643:2019：钢的奥氏体晶粒度金相测定法

GB/T 6394-2017：金属平均晶粒度测定方法

ASTM E2627：电子背散射衍射（EBSD）取向分析标准

ISO 24173:2009：微束分析电子背散射衍射取向测量导则

检测设备

扫描电子显微镜（SEM）：蔡司Sigma 500，配备Oxford Symmetry EBSD探测器

X射线衍射仪（XRD）：Rigaku SmartLab 9kW，Cu靶Kα辐射源

金相显微镜：奥林巴斯BX53M，带Clemex PE4.0图像分析模块

激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X1000，3D表面形貌重建功能

聚焦离子束系统（FIB）：Thermo Scientific Helios G4 UX，支持TEM样品制备