离子轰击浸蚀检测概述:离子轰击浸蚀检测是通过高能离子束轰击样品表面实现微观结构分析的关键技术。该检测重点关注材料表面形貌、成分分布及晶格缺陷等参数,适用于金属、半导体及复合材料领域。核心要点包括加速电压控制(1-30kV)、束流密度校准(0.1-50nA/mm²)以及溅射速率标定(0.01-10nm/s),需严格遵循ASTM E1122和ISO 14606标准进行深度剖面分析。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
1.表面粗糙度分析:测量Ra值范围0.1-10μm,分辨率达0.05nm
2.元素深度分布:检测深度0.1-50μm,元素含量范围0.1%-50%
3.晶格损伤评估:缺陷密度测量精度510/cm
4.界面结合强度:结合力测试范围1-500N/mm
5.溅射产额测定:产额系数0.1-10atoms/ion
1.金属合金:钛合金(Ti6Al4V)、镍基高温合金(Inconel718)
2.半导体材料:硅片(掺杂浓度1E14-1E20atoms/cm)、砷化镓外延层
3.陶瓷涂层:氧化铝热障涂层(厚度50-500μm)、氮化硅耐磨层
4.高分子材料:聚酰亚胺薄膜(厚度10-200μm)、PEEK植入物
5.复合材料:碳纤维增强环氧树脂(纤维体积比30-70%)
ASTME1122-16:离子束溅射速率标定规程
ISO14606:2015:深度剖面分析校准规范
GB/T28892-2012:表面化学成分分析通则
ASTMF1710-08(2020):半导体材料溅射产额测试
GB/T38783-2020:耐高温涂层结合强度测定
FEIHeliosG4UX双束电镜:30kV加速电压,0.8nm分辨率成像
牛津X-MaxN150能谱仪:元素检测范围B-U,能量分辨率127eV
KLAP-17台阶仪:垂直测量范围100μm,重复精度0.1nm
HidenSIMS工作站:质量分辨率M/ΔM>20000,检出限0.01ppm
BrukerDektakXT轮廓仪:扫描长度200mm,Z轴分辨率0.01
ThermoFisherScios2FIB:束流稳定性0.5%,最小束斑3nm
ZeissCrossbeam550:集成EDS/EBSD系统,倾斜角度60
UlvacPHI700:Ar+枪能量范围0.5-5keV,溅射速率校准模块
Agilent8500F原子力显微镜:扫描范围90μm90μm,接触模式分辨率0.2nm
ShimadzuEPMA-8050G电子探针:波长色散谱仪,元素分析精度
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与离子轰击浸蚀检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。