检测项目
反向恢复时间（trr）：测量范围0.5ns-200ns，精度±2%
结电容（Cj）：测试条件1MHz/0V偏压，分辨率0.1pF
反向漏电流（Ir）：量程1nA-10mA@VR=额定电压
击穿电压（VBR）：测试范围50V-3000V，步进电压1V
热阻值（Rθj-a）：温度梯度法测量ΔT=25-150℃
检测范围
硅基快恢复二极管（FRD）
碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）
砷化镓PIN二极管
超结功率MOSFET体二极管
半导体晶圆级封装器件
检测方法
IEC 60747-1:2022 半导体分立器件通用规范
ASTM F1249-20 功率器件动态参数测试规程
GB/T 6571-2015 半导体器件反向击穿电压测试方法
JESD22-A108F 温度循环可靠性试验标准
SJ/T 11498-2015 半导体器件结电容测试规范
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试
Tektronix PA3000功率分析仪：带宽50MHz,采样率5GS/s
Keithley 4200A-SCS参数分析仪：最小电流分辨率10fA
ESPEC TSA-101S温控试验箱：温度范围-70℃~+200℃
Agilent E4980A LCR表：频率范围20Hz至2MHz