电荷存储二极管检测

检测项目

反向恢复时间（trr）：测量范围0.5ns-200ns，精度±2%

结电容（Cj）：测试条件1MHz/0V偏压，分辨率0.1pF

反向漏电流（Ir）：量程1nA-10mA@VR=额定电压

击穿电压（VBR）：测试范围50V-3000V，步进电压1V

热阻值（Rθj-a）：温度梯度法测量ΔT=25-150℃

检测范围

硅基快恢复二极管（FRD）

碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）

砷化镓PIN二极管

超结功率MOSFET体二极管

半导体晶圆级封装器件

检测方法

IEC 60747-1:2022 半导体分立器件通用规范

ASTM F1249-20 功率器件动态参数测试规程

GB/T 6571-2015 半导体器件反向击穿电压测试方法

JESD22-A108F 温度循环可靠性试验标准

SJ/T 11498-2015 半导体器件结电容测试规范

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试

Tektronix PA3000功率分析仪：带宽50MHz,采样率5GS/s

Keithley 4200A-SCS参数分析仪：最小电流分辨率10fA

ESPEC TSA-101S温控试验箱：温度范围-70℃~+200℃

Agilent E4980A LCR表：频率范围20Hz至2MHz

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"电荷存储二极管检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。