检测项目
残余应力值：测量范围-500 MPa至+2000 MPa（压应力/拉应力）
应力分布均匀性：空间分辨率≤50 μm
温度影响系数：-50℃~300℃温控条件下的应力变化率
膜厚相关性：10 nm~10 μm厚度范围内的应力梯度
时效稳定性：1000小时加速老化后的应力衰减量
检测范围
金属薄膜：Al/Cu/Ti等PVD/CVD沉积膜层
半导体薄膜：SiNx/SiO2/低k介质层
聚合物薄膜：PI/PET/PEN柔性基材涂层
陶瓷薄膜：Al2O3/ZrO2/氮化硅保护层
光学薄膜：ITO/ZnO透明导电膜系
检测方法
X射线衍射法（ASTM F2081, ISO 21702, GB/T 31309）
曲率半径法（ASTM F2347, GB/T 15717）
拉曼光谱法（ISO 21475, GB/T 33523）
纳米压痕法（ISO 14577, GB/T 21838）
聚焦离子束（FIB）微加工法（ASTM E2860）
检测设备
X射线衍射仪：Bruker D8 Discover型（θ-2θ扫描精度±0.0001°）
激光扫描仪：Keyence LJ-V7000系列（曲率半径测量精度±0.5%）
显微拉曼系统：Horiba LabRAM HR Evolution（532nm/785nm双波长）
纳米力学测试仪：Agilent G200（最大载荷500mN）
双束电镜系统：FEI Helios G4 UX（FIB加工精度±5nm）