检测项目

晶格常数偏差：测量范围±0.05Å，分辨率0.002Å

取向偏差角度：测量精度≤0.03°，重复性±0.01°

界面位错密度：检测下限1×10³ cm⁻²

热膨胀系数差异：温度范围-196~1200℃，精度±0.05×10⁻⁶/K

表面台阶高度：垂直分辨率0.1nm，横向分辨率1μm

检测范围

III-V族半导体异质结（GaAs/Si, InP/GaAs）

金属层状复合材料（Cu/Al, Ti/Ni）

陶瓷基板涂层体系（Al₂O₃/AlN, ZrO₂/Y₂O₃）

光学功能薄膜（ZnO/Si, TiO₂/Glass）

超晶格量子结构（GaAs/AlGaAs, SiGe/Si）

检测方法

ASTM E112-13：晶粒尺寸测定标准

ISO 24173:2009：电子背散射衍射(EBSD)分析方法

GB/T 13305-2008：不锈钢中α-相面积含量测定

GB/T 19501-2013：电子背散射衍射分析方法通则

ISO 22262-2:2020：材料晶体取向定量分析规范

检测设备

高分辨透射电镜：JEOL JEM-ARM300F（原子级晶格成像）

X射线衍射仪：Bruker D8 Discover（全谱晶体结构分析）

电子背散射衍射系统：Oxford Symmetry S2（三维取向测绘）

激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000（纳米级表面形貌重建）

高温XRD附件：Anton Paar HTK1200N（变温晶体参数测试）