检测项目
静态结电容（Cj）：测量反向偏压0-100V条件下的电容值
动态结电容（Cd）：测试频率1kHz-1MHz范围的容值变化
温度特性：-55℃至+150℃温区内电容漂移量
击穿电压相关性：反向电压0.1VBR-0.9VBR分段测量
漏电流影响：10nA-100μA漏电流下的电容稳定性
检测范围
半导体分立器件：PIN二极管、肖特基二极管
功率电子器件：IGBT模块、晶闸管组件
高频电路元件：微波晶体管、射频电容器
集成电路：CMOS工艺芯片的寄生电容参数
新型材料器件：碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)基器件
检测方法
ASTM F1248：半导体器件电容-电压特性标准测试规程
IEC 60747-1：分立器件基本参数测量通用规范
GB/T 4587：双极型晶体管测试方法第5章电容特性测量
JESD22-C101F：电子器件高频电容测试行业标准
SJ/T 11498：微波器件寄生参数测试技术规范
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试及1MHz C-V扫描
Tektronix PA3000功率分析系统：集成LCR表功能与温度控制模块
Agilent 4284A精密LCR表：20Hz至1MHz频率范围±0.05%基本精度
ESPEC TSE-11-A高低温试验箱：-70℃至+180℃温控系统
Keithley 2636B源表系统：10fA分辨率漏电流测试能力