结电容检测

检测项目

静态结电容（C_j）：测量反向偏压0-100V条件下的电容值

动态结电容（C_d）：测试频率1kHz-1MHz范围的容值变化

温度特性：-55℃至+150℃温区内电容漂移量

击穿电压相关性：反向电压0.1V_BR-0.9V_BR分段测量

漏电流影响：10nA-100μA漏电流下的电容稳定性

检测范围

半导体分立器件：PIN二极管、肖特基二极管

功率电子器件：IGBT模块、晶闸管组件

高频电路元件：微波晶体管、射频电容器

集成电路：CMOS工艺芯片的寄生电容参数

新型材料器件：碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)基器件

检测方法

ASTM F1248：半导体器件电容-电压特性标准测试规程

IEC 60747-1：分立器件基本参数测量通用规范

GB/T 4587：双极型晶体管测试方法第5章电容特性测量

JESD22-C101F：电子器件高频电容测试行业标准

SJ/T 11498：微波器件寄生参数测试技术规范

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试及1MHz C-V扫描

Tektronix PA3000功率分析系统：集成LCR表功能与温度控制模块

Agilent 4284A精密LCR表：20Hz至1MHz频率范围±0.05%基本精度

ESPEC TSE-11-A高低温试验箱：-70℃至+180℃温控系统

Keithley 2636B源表系统：10fA分辨率漏电流测试能力

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"结电容检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。