检测项目
晶格常数偏差:测量范围±0.05nm,分辨率0.001nm
缺陷密度分析:检出限≤1×10³/cm²,定位精度±50nm
取向偏差角:测量范围0-15°,角度分辨率0.01°
层错率计算:分析精度±0.1%,适用层厚50-500nm
周期性波动系数:评价波长10-100μm范围内的振幅波动
检测范围
金属增材制造件:包括钛合金/镍基高温合金SLM成型件
半导体晶圆:硅/碳化硅/氮化镓单晶衬底
复合材料层压板:CFRP/GFRP正交铺层结构
光学镀膜元件:多层介质膜/金属反射膜系
陶瓷基板:氧化铝/氮化铝电子封装基板
检测方法
ASTM E112-13:晶粒度测定与统计分析方法
ISO 643:2019:钢的奥氏体晶粒度评级规范
GB/T 13298-2015:金属显微组织检验方法
ISO 25178-2:2022:表面形貌的定域高度分析法
GB/T 3488.2-2018:硬质合金显微组织的金相测定
检测设备
Zeiss Sigma 500场发射扫描电镜:配备EBSD探头(分辨率1.5nm@15kV)
Thermo Fisher Talos F200X透射电镜:STEM模式点分辨率0.16nm
Bruker D8 Discover X射线衍射仪:配置Eulerian cradle测角仪(角度重复性±0.0001°)
Keyence VK-X3000激光共聚焦显微镜:Z轴分辨率1nm,最大扫描面积200×200mm
Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器:最大采集速度4000点/秒(在70°倾斜条件下)