检测项目

晶体结构分析：加速电压15-30kV，入射角0.5°-3°，晶格常数测量精度±0.01Å

表面重构监测：电子束流密度0.1-1.0μA/cm²，时间分辨率≤10ms

薄膜生长实时监控：厚度分辨率0.1ML（单原子层），温度范围20-800℃

表面粗糙度评估：掠射角波动范围±0.05°，条纹可见度分析V≥0.8

缺陷密度测定：衍射斑点半高宽≤0.02rad，缺陷密度计算误差＜5%

检测范围

III-V族半导体外延薄膜（GaAs、InP等）

金属单晶表面（Au(111)、Cu(100)等）

氧化物功能涂层（TiO₂、Al₂O₃等）

二维材料异质结（石墨烯/MoS₂等）

高温超导薄膜（YBCO、BSCCO等）

检测方法

ASTM E2865-18：表面结晶度定量分析方法

ISO 16700:2016：微束分析-电子衍射通则

GB/T 23414-2021：微束分析术语及定义规范

JIS K 0149:2020：表面分析-电子衍射测试通则

ISO 21363:2020：纳米技术-薄膜厚度测量方法

检测设备

STAIB Instruments RHEED 3000：配备延迟线检测器（DLD），真空度≤5×10⁻⁸Pa

JEOL JEM-2300T：场发射电子枪系统，加速电压连续可调15-30kV

KSA MOSKIT MBE系统集成RHEED：具备原位加热台（最高1200℃）和四轴样品架

SPECS PHOIBOS 150：配备高速CCD相机（帧率1000fps），空间分辨率50μm

VG Scienta RHEED Pro：集成LEED-Auger联用系统，能量分辨率＜0.5eV