成分分析:
1.原生金属镓:电解精炼或拜耳法产物,重点检测汞/硒/碲等挥发性杂质及钠/钾碱金属残留
2.再生镓原料:半导体废料回收镓,核心检测有机溶剂残留及过渡金属交叉污染
3.砷化镓晶片:半导体衬底材料,关键控制位错密度(≤1000cm⁻²)及表面粗糙度(Ra≤0.2nm)
4.氮化镓外延片:LED/HEMT基材,重点分析载流子迁移率(≥2000cm²/V·s)及缓冲层缺陷密度
5.铜镓合金靶材:薄膜沉积用,主控氧含量(≤500ppm)及微观组织均匀性
6.氧化镓粉末:β-Ga₂O₃前驱体,侧重检测比表面积(10-50m²/g)及氯离子残留(≤100ppm)
7.液态镓合金:Galinstan等导热介质,重点监控铟/锡比例偏差(±1wt%)及氧化稳定性
8.磷化镓基板:红光LED衬底,核心检测位错蚀坑(EPD≤5×10⁴cm⁻²)及电阻率均匀性
9.硒化镓薄膜:光伏材料,关键控制元素化学计量比(Ga:Se=1:1±0.03)及带隙值(1.7±0.1eV)
10.含镓催化剂:石油裂解用,重点分析活性组分分散度(TEM统计)及酸中心强度(NH₃-TPD)
国际标准:
1.高分辨ICP-MS:Agilent8900三重四极杆(质量范围2-270amu,检出限0.1ppt)
2.GD-MS辉光放电质谱:ThermoScientificELEMENTGDPlus(分辨率>10000,全元素扫描)
3.低温探针台:LakeShoreCPX-VF(温度范围4K-500K,磁场强度1.5T)
4.X射线衍射仪:BrukerD8ADVANCE(2θ精度±0.0001°,Cu靶Kα辐射)
5.场发射电镜:ZeissGeminiSEM500(分辨率0.8nm@15kV,EDS能谱分辨率124eV)
6.二次离子质谱:ION-TOFTOF.SIMS5(空间分辨率50nm,质量分辨率>20000)
7.傅里叶红外光谱:PerkinElmerFrontier(波数范围7800-350cm⁻¹,分辨率0.4cm⁻¹)
8.低温霍尔测试系统:MMRTechK-20(温度范围20K-400K,电流源分辨率1nA)
9.同步热分析仪:NETZSCHSTA449F5(升温速率0.001-50K/min,TG灵敏度0.1μg)
10.X射线光电子能谱:ESCALABXi+(能量分辨率0.45eV,深度剖析速率5nm/min)
11.四探针测试仪:Keithley2450(电流范围10fA-1A,电阻率测量范围10⁻⁴-10⁶Ω·cm)
12.原子力显微镜:BrukerDimensionIcon(扫描范围90μm×90μm,Z轴分辨率0.1nm)
13.低温强磁场PPMS:QuantumDesignDynaCool(温度范围1.9K-400K,磁场强度±16T)
14.微波消解系统:MilestoneUltraClave(最高温度300℃,压力199bar)
15.激光椭偏仪:J.A.WoollamM-2000(波长范围245-1700nm,膜厚精度
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与含镓物料检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。