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含镓物料检测

  • 原创官网
  • 2025-06-08 10:30:34
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含镓物料检测概述:含镓物料检测聚焦于镓元素及其化合物的物理化学特性精准表征。核心检测对象涵盖各类含镓原料(原生镓、再生镓)、中间产物及终制品(半导体材料、合金、靶材、化工品)。关键检测项目包括镓含量精确测定、杂质元素谱分析、物相结构鉴定、表面污染物检测、热力学性能及电学参数评估,确保物料符合高纯应用与工艺适配性要求。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

成分分析:

  • 主量元素检测:镓含量(Ga≥99.99%)、铝/锌/硅杂质(≤50ppm,参照GB/T4375.1)
  • 痕量杂质检测:铅/镉/汞(ICP-MS法,检出限0.1ppb)、硫/磷(≤10ppm)
物理性能:
  • 熔点特性:固液相变温度(29.76±0.1℃,ISO11357-1)
  • 密度测定:液态密度(6.095g/cm³@30℃,GB/T4472)
表面特性:
  • 氧化层分析:Ga₂O₃厚度(XPS深度剖析,精度±0.5nm)
  • 污染物检测:有机残留(TOF-SIMS面分布,分辨率5μm)
电学性能:
  • 电阻率测试:体材料电阻率(≤10⁻⁴Ω·cm,ASTMF76)
  • 载流子浓度:霍尔效应测试(n型:1×10¹⁷cm⁻³±5%)
热力学特性:
  • 热膨胀系数:CTE(5.0×10⁻⁶/K,-50~150℃,ISO11359-2)
  • 比热容测定:Cp(0.37J/g·K,DSC法)
结构表征:
  • 晶体结构:XRD物相鉴定(α-Ga衍射角匹配JCPDS05-0601)
  • 微观形貌:晶粒尺寸(SEM-EBSD,分辨率10nm)
化学稳定性:
  • 酸碱腐蚀速率:HNO₃中溶解率(≤0.1mg/cm²·h,ASTMG31)
  • 氧化动力学:热重分析(TGA增重≤0.05%/h@500℃)
机械性能:
  • 显微硬度:维氏硬度(HV0.01=15±2,ISO6507)
  • 断裂韧性:压痕法测量(KIC≥0.5MPa·m¹/²)
纯度等级:
  • 6N级验证:总杂质≤10ppm(GDMS全元素扫描)
  • 单宁酸显色反应:定性判定(GB/T4375.2)
功能性测试:
  • 光电转化效率:GaAs基材料(AM1.5G下η≥25%,IEC60904-3)
  • 溅射产额:Ga靶材(Ar⁺离子轰击,≥1.2atom/ion)

检测范围

1.原生金属镓:电解精炼或拜耳法产物,重点检测汞/硒/碲等挥发性杂质及钠/钾碱金属残留

2.再生镓原料:半导体废料回收镓,核心检测有机溶剂残留及过渡金属交叉污染

3.砷化镓晶片:半导体衬底材料,关键控制位错密度(≤1000cm⁻²)及表面粗糙度(Ra≤0.2nm)

4.氮化镓外延片:LED/HEMT基材,重点分析载流子迁移率(≥2000cm²/V·s)及缓冲层缺陷密度

5.铜镓合金靶材:薄膜沉积用,主控氧含量(≤500ppm)及微观组织均匀性

6.氧化镓粉末:β-Ga₂O₃前驱体,侧重检测比表面积(10-50m²/g)及氯离子残留(≤100ppm)

7.液态镓合金:Galinstan等导热介质,重点监控铟/锡比例偏差(±1wt%)及氧化稳定性

8.磷化镓基板:红光LED衬底,核心检测位错蚀坑(EPD≤5×10⁴cm⁻²)及电阻率均匀性

9.硒化镓薄膜:光伏材料,关键控制元素化学计量比(Ga:Se=1:1±0.03)及带隙值(1.7±0.1eV)

10.含镓催化剂:石油裂解用,重点分析活性组分分散度(TEM统计)及酸中心强度(NH₃-TPD)

检测方法

国际标准:

  • ASTME1479-16电感耦合等离子体原子发射光谱法测定杂质
  • ISO17054:2019X射线荧光光谱法测定高纯镓中微量杂质
  • JISH1199:2022镓化学分析方法通则
  • SEMIMF1188砷化镓单晶电阻率测试规程
国家标准:
  • GB/T4375.1-2024镓化学分析方法痕量杂质测定
  • GB/T26021-2023氮化镓单晶衬底缺陷检测方法
  • GB/T39144-2020高纯镓化学分析方法痕量元素测定
  • SJ/T11814-2022砷化镓抛光片表面质量检测规范
方法差异说明:GB/T4375.1采用四级杆ICP-MS检测限优于ASTME1479;SEMIMF1188要求四探针法测量电阻率,而GB/T26021允许非接触涡流法;ISO17054规定XRF校准曲线需12点标样,GB标准要求8点

检测设备

1.高分辨ICP-MS:Agilent8900三重四极杆(质量范围2-270amu,检出限0.1ppt)

2.GD-MS辉光放电质谱:ThermoScientificELEMENTGDPlus(分辨率>10000,全元素扫描)

3.低温探针台:LakeShoreCPX-VF(温度范围4K-500K,磁场强度1.5T)

4.X射线衍射仪:BrukerD8ADVANCE(2θ精度±0.0001°,Cu靶Kα辐射)

5.场发射电镜:ZeissGeminiSEM500(分辨率0.8nm@15kV,EDS能谱分辨率124eV)

6.二次离子质谱:ION-TOFTOF.SIMS5(空间分辨率50nm,质量分辨率>20000)

7.傅里叶红外光谱:PerkinElmerFrontier(波数范围7800-350cm⁻¹,分辨率0.4cm⁻¹)

8.低温霍尔测试系统:MMRTechK-20(温度范围20K-400K,电流源分辨率1nA)

9.同步热分析仪:NETZSCHSTA449F5(升温速率0.001-50K/min,TG灵敏度0.1μg)

10.X射线光电子能谱:ESCALABXi+(能量分辨率0.45eV,深度剖析速率5nm/min)

11.四探针测试仪:Keithley2450(电流范围10fA-1A,电阻率测量范围10⁻⁴-10⁶Ω·cm)

12.原子力显微镜:BrukerDimensionIcon(扫描范围90μm×90μm,Z轴分辨率0.1nm)

13.低温强磁场PPMS:QuantumDesignDynaCool(温度范围1.9K-400K,磁场强度±16T)

14.微波消解系统:MilestoneUltraClave(最高温度300℃,压力199bar)

15.激光椭偏仪:J.A.WoollamM-2000(波长范围245-1700nm,膜厚精度

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与含镓物料检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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