检测项目

厚度均匀性：测量精度±0.1μm（三点扫描法），允许偏差≤±2%

载流子迁移率：测试范围10⁻³~10² cm²/(V·s)，温度控制±0.5℃

热膨胀系数：温度梯度20-300℃，测量误差≤0.05×10⁻⁶/K

表面粗糙度：Ra值检测下限0.1nm（白光干涉法）

透光率特性：光谱范围300-2500nm（紫外-近红外分光光度计）

击穿电压强度：直流测试电压0-10kV（步进精度50V）

检测范围

非晶硅基薄膜半导体玻璃（a-Si:H）

氧化物半导体玻璃（IGZO、ZTO系列）

硫系化合物玻璃半导体（As₂S₃-GeSe₂体系）

量子点掺杂玻璃基板（CdSe/ZnS复合材料）

柔性透明导电玻璃（FTO/ITO镀层）

检测方法

X射线衍射法（ASTM F1529-22/GB/T 23413-2020）：晶体结构分析

四探针电阻测试法（ISO 3915:2021/GB/T 1551-2021）：薄层电阻测量

动态热机械分析（ASTM E831-19/GB/T 33061-2016）：热膨胀系数测定

原子力显微镜扫描（ISO 11039:2019）：表面形貌三维重构

霍尔效应测试系统（IEC 62805-2:2017）：载流子浓度与迁移率计算

检测设备

Thermo Scientific ARL EQUINOX 1000 X射线衍射仪：θ/θ测角仪结构，角度重复性±0.0001°

Keysight B1500A半导体参数分析仪：最小电流分辨率0.1fA

NETZSCH DIL 402 Expedis Classic热膨胀仪：温度分辨率0.01℃

Bruker Dimension Icon原子力显微镜：Z轴噪声水平＜30pm RMS

Agilent Cary 7000紫外可见近红外分光光度计：波长准确度±0.08nm