检测项目

晶格畸变率测定（测量范围：0.1%-5%，分辨率±0.02%）

相变温度点测试（温度范围：-196℃至1500℃，精度±1℃）

位错密度分析（灵敏度：106-1012 cm-2）

晶界能分布表征（能量分辨率：0.01 J/m²）

亚稳态结构稳定性评估（时间分辨率：1 ns-1000 h）

原子占位有序度检测（精度等级：±0.5%）

检测范围

高熵合金与形状记忆合金

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物（如GaN、InP）

氧化物陶瓷复合材料（Al2O3-ZrO2体系）

高温超导材料（YBCO薄膜）

纳米多层涂层（TiN/AlTiN梯度结构）

检测方法

ASTM E112-13《测定平均晶粒度的标准试验方法》

ISO 24173:2009《微束分析-电子背散射衍射分析方法》

GB/T 13301-2019《金属材料高温相变点测定方法》

ASTM F1946-22《透射电子显微镜表征半导体缺陷的标准指南》

GB/T 36065-2018《纳米材料表征用透射电子显微镜方法》

ISO 22262-3:2017《材料定量相分析的X射线衍射法》

检测设备

场发射透射电镜FEI Talos F200X（配备SuperX能谱仪，可实现原子级结构解析）

高分辨X射线衍射仪Rigaku SmartLab 9kW（配备HyPix-3000探测器，角度重复性±0.0001°）

激光共聚焦高温显微镜Keyence VK-X3000（最高工作温度1600℃，空间分辨率10nm）

动态热机械分析仪TA Q800（应变分辨率0.01μm，频率范围0.001-200Hz）

三维原子探针CAMECA LEAP 5000XR（质量分辨率m/Δm＞2000，探测效率80%）